Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Поставка оригинальных FDT86102LZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FDT86102LZ, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FDT86102LZ

Внутренний код

TCE000056402

Упаковка

SOT-223

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

PowerTrench®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FDT86102LZ от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Tin (Sn)

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

19 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

6.6 ns

Product Parameter

Rise Time

1.9ns

Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
19 ns
Turn On Delay Time
6.6 ns
Rise Time
1.9ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Power Dissipation
1W
Number of Terminations
4
Number of Pins
4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.6A Ta
Width
6.7mm
Threshold Voltage
1.4V
Height
1.8mm
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Continuous Drain Current (ID)
6.6A
Length
3.7mm
Weight
250.2mg
Fall Time (Typ)
2.2 ns
Drain-source On Resistance-Max
0.028Ohm
Power Dissipation-Max
2.2W Ta
Manufacturer's Part No.
FDT86102LZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1490pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28m Ω @ 6.6A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDT86102LZ, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FDT86102LZ?

FDT86102LZ — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FDT86102LZ?

Для FDT86102LZ указан корпус SOT-223. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FDT86102LZ в наличии?

Сейчас на странице указано 55894 шт. на складе и 41648 шт. доступно для FDT86102LZ. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FDT86102LZ?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDT86102LZ от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FDT86102LZ?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDT86102LZ от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FDT86102LZ?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDT86102LZ.

Еще материалы по закупкам

Статьи

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

Читать

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.

Читать

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

Читать