Что такое IRFUC20PBF?
IRFUC20PBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных IRFUC20PBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IRFUC20PBF от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Mounting Type
Through Hole
Product Attribute
ECCN
EAR99
Product Attribute
Lead Free
Lead Free
Product Attribute
Packaging
Tube
Product Attribute
Factory Lead Time
8 Weeks
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
8 Weeks
Published
2010
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Length
6.73mm
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Power Dissipation
2.5W
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
25 ns
Threshold Voltage
4V
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Height
6.22mm
Drain Current-Max (Abs) (ID)
2A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A Tc
Continuous Drain Current (ID)
2A
Avalanche Energy Rating (Eas)
74 mJ
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Width
2.39mm
Weight
329.988449mg
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 42W Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
8A
Resistance
4.4Ohm
Manufacturer's Part No.
IRFUC20PBF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ω @ 1.2A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
30 ns
Turn On Delay Time
10 ns
Rise Time
23ns
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFUC20PBF, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для IRFUC20PBF?
Для IRFUC20PBF указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IRFUC20PBF в наличии?
Сейчас на странице указано 25946 шт. на складе и 20472 шт. доступно для IRFUC20PBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IRFUC20PBF?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFUC20PBF от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IRFUC20PBF?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFUC20PBF от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IRFUC20PBF?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFUC20PBF.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDMC7570S
134 покупали
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
Ориентировочная цена
$1.41Добавить в список RFQ
FDS6670A
171 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
IRLML9301TRPBF
146 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
FQA55N25
207 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
Ориентировочная цена
$3.10Добавить в список RFQ
FDC640P
155 покупали
SSOT-6
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.13Добавить в список RFQ
SI3469DV-T1-E3
128 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.28Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.