60V N-channel reduced-Qg MOSFET in SOIC-8 for fast-switching power applications.
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
Si4850EY
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
60V N-channel reduced-Qg MOSFET in SOIC-8 for fast-switching power applications.
Основные характеристики
-
Технический документ
Изучите актуальный datasheet для SI4850EY-T1-E3 от Vishay Siliconix в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Product Attribute
Mounting Type
Surface Mount
Product Attribute
Package / Case
SOIC-8
Product Attribute
Power Dissipation
1.7 W
Parameter
Drain-Source Voltage
60 V
Parameter
Gate-Source Voltage
20 V
Product Parameter
Transistor Type
N-channel MOSFET
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI4850EY-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
SI4850EY-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay Siliconix. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для SI4850EY-T1-E3 указан корпус SOIC-8. Текущее описание товара: 60V N-channel reduced-Qg MOSFET in SOIC-8 for fast-switching power applications.. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 30000 шт. на складе и 18000 шт. доступно для SI4850EY-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI4850EY-T1-E3 от Vishay Siliconix. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI4850EY-T1-E3 от Vishay Siliconix, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI4850EY-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
Еще материалы по закупкам
1 июл. 2026 г.
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.
25 июн. 2026 г.
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.