Проверка package и footprint
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Читайте datasheet производителя для SI2316BDS-T1-GE3 от Vishay. Ищите по PDF, просматривайте ключевые данные по детали и отправляйте запрос цены для этого компонента Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, не покидая страницу.
Номер детали
SI2316BDS-T1-GE3Внутренний код
TCE000059460
Упаковка
SOT23
Подкатегория
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Запрос цены
Нужны цена, наличие или срок поставки по этой детали? Отправьте запрос прямо во время просмотра datasheet.
Техническая сводка
SI2316BDS-T1-GE3 от Vishay — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные в корпусе SOT23. Используйте datasheet производителя для проверки электрических, механических и заказных параметров.
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Используйте datasheet SI2316BDS-T1-GE3 от Vishay, чтобы проверить ratings, package details, рабочие ограничения и ordering information для проектирования или закупки.
Встроенный PDF
Engineering support
Если команда уперлась в трактовку package, pin-level details, недостающие электрические параметры или qualification questions по SI2316BDS-T1-GE3 от Vishay, свяжитесь с нашим engineering-friendly контактом для более технического обсуждения.
Вы можете написать нашему engineering support контакту на [email protected] или открыть страницу contact-us, если вопрос нужно передать шире по команде.
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Можно разобрать pin naming, signal mapping, interface expectations и другие спорные моменты при чтении datasheet.
Поможем вынести наружу недостающие specs, compliance документы и qualification details, которые еще нужны команде.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN

MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK

NEW LF VERSION OF CSD18502KCS

MOSFET N-CH TO262-3

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Частые вопросы
SI2316BDS-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. На этой странице собраны datasheet производителя и базовые данные по детали для технической проверки и закупки.
Используйте поле поиска над viewer. Поиск работает внутри PDF.js reader, поэтому найденные совпадения можно просматривать прямо в документе.
Да. Используйте кнопку запроса цены на этой странице, чтобы отправить email, количество и целевую цену для SI2316BDS-T1-GE3 от Vishay.
На этой странице datasheet SI2316BDS-T1-GE3 указан с корпусом SOT23. Для проверки посадочного места, распиновки и механических параметров следует использовать PDF-документ.
Сначала проверьте разделы с ключевыми пределами, электрическими параметрами, поведением интерфейса и группой атрибутов, начинающейся с Product Parameter. Обычно именно там подтверждается, подходит ли SI2316BDS-T1-GE3 под требования проекта.
Да. Эта страница позволяет скачать PDF datasheet производителя для SI2316BDS-T1-GE3 от Vishay, сохраняя HTML-страницу datasheet доступной для поиска и просмотра.
