Поставка оригинальных FQB11P06TM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных FQB11P06TM, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

FQB11P06TM

Внутренний код

TCE000061777

Упаковка

TO-263-3

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

QFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для FQB11P06TM от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

4 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
4 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
Weight
1.31247g
Series
QFET®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Vgs (Max)
±25V
Height
4.83mm
Width
9.65mm
Voltage - Rated DC
-60V
Fall Time (Typ)
45 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Power Dissipation
3.13W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Current Rating
-11.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175m Ω @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11.4A Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
45.6A
Manufacturer's Part No.
FQB11P06TM
Power Dissipation-Max
3.13W Ta 53W Tc
Continuous Drain Current (ID)
11.4A
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
15 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
6.5 ns
Rise Time
40ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQB11P06TM, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое FQB11P06TM?

FQB11P06TM — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для FQB11P06TM?

Для FQB11P06TM указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли FQB11P06TM в наличии?

Сейчас на странице указано 48809 шт. на складе и 45234 шт. доступно для FQB11P06TM. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для FQB11P06TM?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQB11P06TM от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для FQB11P06TM?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQB11P06TM от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом FQB11P06TM?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQB11P06TM.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.