Поставка оригинальных CSD17579Q3AT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

RoHS
Поставка оригинальных CSD17579Q3AT, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD17579Q3AT

Внутренний код

TCE000062018

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Product Parameter

Turn On Delay Time

2 ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

11 ns

Product Parameter

Rise Time

5ns

Product Attribute

Part Status

Active

Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Turn On Delay Time
2 ns
Turn-Off Delay Time
11 ns
Rise Time
5ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Thickness
800μm
Length
3.3mm
Width
3.3mm
Continuous Drain Current (ID)
20A
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A Ta
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
DS Breakdown Voltage-Min
30V
Package / Case
8-PowerVDFN
Fall Time (Typ)
1 ns
Base Part Number
CSD17579
Drain Current-Max (Abs) (ID)
11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
998pF @ 15V
Power Dissipation-Max
3.2W Ta 29W Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
106A
Manufacturer's Part No.
CSD17579Q3AT
Feedback Cap-Max (Crss)
49 pF
Drain-source On Resistance-Max
0.0142Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas)
14 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2m Ω @ 8A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD17579Q3AT, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD17579Q3AT?

CSD17579Q3AT — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD17579Q3AT?

Для CSD17579Q3AT указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD17579Q3AT в наличии?

Сейчас на странице указано 98732 шт. на складе и 44171 шт. доступно для CSD17579Q3AT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD17579Q3AT?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD17579Q3AT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD17579Q3AT?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD17579Q3AT от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD17579Q3AT?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD17579Q3AT.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.