Что такое CSD88539NDT?
CSD88539NDT — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Texas InstrumentsДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных CSD88539NDT, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
RoHS
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e4
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-609 Code
e4
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
Texas
Width
3.91mm
Height
1.75mm
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Weight
540.001716mg
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Series
NexFET™
Contact Plating
Gold
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Thickness
1.58mm
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Element Configuration
Dual
Threshold Voltage
3V
Drain-source On Resistance-Max
0.034Ohm
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Continuous Drain Current (ID)
15A
Fall Time (Typ)
4 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
46A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
DS Breakdown Voltage-Min
60V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28m Ω @ 5A, 10V
Max Power Dissipation
2.1W
Base Part Number
CSD88539
Drain Current-Max (Abs) (ID)
6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
741pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
CSD88539NDT
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Rise Time
9ns
Turn-Off Delay Time
14 ns
Turn On Delay Time
5 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD88539NDT, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для CSD88539NDT?
Для CSD88539NDT указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли CSD88539NDT в наличии?
Сейчас на странице указано 77698 шт. на складе и 63463 шт. доступно для CSD88539NDT. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для CSD88539NDT?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD88539NDT от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для CSD88539NDT?
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD88539NDT от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Что нужно проверить перед заказом CSD88539NDT?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD88539NDT.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF7104TRPBF
166 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.25Добавить в список RFQ
FDS3992
160 покупали
SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
Ориентировочная цена
$0.92Добавить в список RFQ
NTMD6P02R2G
189 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Ориентировочная цена
$0.50Добавить в список RFQ
FDS6900AS
202 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
DMN5L06DWK-7
212 покупали
SOT-363
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
Ориентировочная цена
$0.63Добавить в список RFQ
IRF7306TRPBF
182 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.