Что такое SIR800DP-T1-GE3?
SIR800DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIR800DP-T1-GE3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIR800DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
MATTE TIN
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
27 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
70 ns
Product Parameter
Rise Time
15ns
Terminal Finish
MATTE TIN
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
27 ns
Turn-Off Delay Time
70 ns
Rise Time
15ns
Part Status
Active
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2010
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Terminal Form
C BEND
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Avalanche Energy Rating (Eas)
45 mJ
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Fall Time (Typ)
27 ns
Drain-source On Resistance-Max
0.0023Ohm
Vgs (Max)
±12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A Tc
Continuous Drain Current (ID)
50A
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 10V
Power Dissipation
5.2W
Power Dissipation-Max
5.2W Ta 69W Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
133nC @ 10V
Threshold Voltage
600mV
Nominal Vgs
600 mV
Drain Current-Max (Abs) (ID)
35.4A
Manufacturer's Part No.
SIR800DP-T1-GE3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5125pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3m Ω @ 15A, 10V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-XDSO-C5
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR800DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIR800DP-T1-GE3?
Для SIR800DP-T1-GE3 указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIR800DP-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 75341 шт. на складе и 35554 шт. доступно для SIR800DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIR800DP-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR800DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIR800DP-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR800DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIR800DP-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR800DP-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STD3NK50ZT4
143 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK
Ориентировочная цена
$0.32Добавить в список RFQ
HUF75321P3
191 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
Ориентировочная цена
$2.00Добавить в список RFQ
STB3NK60ZT4
203 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.68Добавить в список RFQ
IRF9328TRPBF
169 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.30Добавить в список RFQ
FQB4N80TM
179 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.27Добавить в список RFQ
AUIRFS3006-7P
174 покупали
TO-263-7
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.