Что такое FDC3512?
FDC3512 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDC3512, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDC3512 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
7 ns
Product Parameter
Rise Time
3ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
24 ns
Product Attribute
Part Status
Active
Product Attribute
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
7 ns
Rise Time
3ns
Turn-Off Delay Time
24 ns
Part Status
Active
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Current Rating
3A
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
5 Weeks
Published
2002
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Weight
36mg
Series
PowerTrench®
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Length
3mm
Height
1mm
Continuous Drain Current (ID)
3A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A Ta
Drain Current-Max (Abs) (ID)
3A
Power Dissipation
1.6W
Drain to Source Breakdown Voltage
80V
Voltage - Rated DC
80V
Power Dissipation-Max
1.6W Ta
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Fall Time (Typ)
3 ns
Threshold Voltage
2.4V
HTS Code
8541.29.00.95
Nominal Vgs
2.4 V
Resistance
77mOhm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77m Ω @ 3A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDC3512
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
634pF @ 40V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDC3512, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDC3512?
Для FDC3512 указан корпус SSOT-6. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDC3512 в наличии?
Сейчас на странице указано 98570 шт. на складе и 16281 шт. доступно для FDC3512. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDC3512?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDC3512 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDC3512?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDC3512 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDC3512?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDC3512.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FQPF10N60C
157 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
FDT86106LZ
218 покупали
SOT-223
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
Ориентировочная цена
$1.76Добавить в список RFQ
IXFH24N50
146 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD
Ориентировочная цена
$6.74Добавить в список RFQ
IRF520NSTRLPBF
151 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.60Добавить в список RFQ
IRF3007PBF
163 покупали
TO-
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Ориентировочная цена
$1.25Добавить в список RFQ
FQP16N25
196 покупали
TO-220
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 250V 16A TO-220
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.