Что такое FDD86110?
FDD86110 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDD86110, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDD86110 от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
19 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
12 ns
Product Parameter
Rise Time
5.4ns
Product Attribute
Part Status
Active
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
19 ns
Turn On Delay Time
12 ns
Rise Time
5.4ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
8 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Length
6.73mm
Series
PowerTrench®
Nominal Vgs
2.8 V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
6V 10V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
60A
Weight
260.37mg
Power Dissipation
3.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
12.5A
Drain Current-Max (Abs) (ID)
50A
Threshold Voltage
2.8V
Fall Time (Typ)
3.9 ns
Power Dissipation-Max
3.1W Ta 127W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2m Ω @ 12.5A, 10V
Manufacturer's Part No.
FDD86110
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A Ta 50A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2265pF @ 50V
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDD86110, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDD86110?
Для FDD86110 указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDD86110 в наличии?
Сейчас на странице указано 81233 шт. на складе и 81233 шт. доступно для FDD86110. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDD86110?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDD86110 от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDD86110?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDD86110 от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDD86110?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDD86110.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFS4610TRLPBF
223 покупали
TO-263-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
Ориентировочная цена
$3.19Добавить в список RFQ
IRF6795MTR1PBF
190 покупали
2010
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
IRLIZ34NPBF
166 покупали
TO-220-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
Ориентировочная цена
$0.50Добавить в список RFQ
DMG2301U-7
204 покупали
SOT23
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
Ориентировочная цена
$0.01Добавить в список RFQ
HUF75652G3
152 покупали
TO-247
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Ориентировочная цена
$4.46Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.