Что такое FDG311N?
FDG311N — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDG311N, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDG311N от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
10 ns
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
9ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
5 ns
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Turn-Off Delay Time
10 ns
Number of Elements
1
Rise Time
9ns
Turn On Delay Time
5 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
10 Weeks
Published
2000
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Width
1.25mm
Power Dissipation
750mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Series
PowerTrench®
Weight
28mg
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Vgs (Max)
±8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Height
1mm
Length
2mm
Fall Time (Typ)
9 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
2.5V 4.5V
Voltage - Rated DC
20V
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A Ta
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Nominal Vgs
900 mV
Threshold Voltage
900mV
Current Rating
1.9A
Continuous Drain Current (ID)
1.9A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115m Ω @ 1.9A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
FDG311N
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDG311N, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDG311N?
Для FDG311N указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDG311N в наличии?
Сейчас на странице указано 60811 шт. на складе и 23541 шт. доступно для FDG311N. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDG311N?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDG311N от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDG311N?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDG311N от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDG311N?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDG311N.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDG327NZ
219 покупали
SC70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.07Добавить в список RFQ
IXFT36N60P
163 покупали
TO-268
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3
Ориентировочная цена
$8.94Добавить в список RFQ
BSS123NH6327XTSA1
128 покупали
SOT-23
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Ориентировочная цена
$0.05Добавить в список RFQ
FDN361BN
224 покупали
SSOT3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
Ориентировочная цена
$1.60Добавить в список RFQ
AUIRFZ24NS
168 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.70Добавить в список RFQ
AUIRLR3705Z
190 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запросДобавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.