Поставка оригинальных IRF640SPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRF640SPBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRF640SPBF

Внутренний код

TCE000062946

Упаковка

TO-263-3

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF640SPBF от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Packaging

Tube

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Factory Lead Time

8 Weeks

Part Status
Active
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
8 Weeks
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2016
Length
10.67mm
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
72A
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A Tc
Resistance
180mOhm
Avalanche Energy Rating (Eas)
580 mJ
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Pin Count
4
Height
4.83mm
Width
9.65mm
Threshold Voltage
4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drain to Source Breakdown Voltage
200V
Weight
1.437803g
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
18A
Power Dissipation
130W
Fall Time (Typ)
36 ns
Manufacturer's Part No.
IRF640SPBF
Power Dissipation-Max
3.1W Ta 130W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180m Ω @ 11A, 10V
Turn-Off Delay Time
45 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
14 ns
Rise Time
51ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF640SPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF640SPBF?

IRF640SPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF640SPBF?

Для IRF640SPBF указан корпус TO-263-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF640SPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 46760 шт. на складе и 46760 шт. доступно для IRF640SPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF640SPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF640SPBF от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF640SPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF640SPBF от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF640SPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF640SPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.