Поставка оригинальных IRFZ14PBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных IRFZ14PBF, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

IRFZ14PBF

Внутренний код

TCE000062976

Упаковка

TO-

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRFZ14PBF от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

10 ns

Product Parameter

Rise Time

50ns

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

13 ns

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
10 ns
Rise Time
50ns
Turn-Off Delay Time
13 ns
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
Published
2008
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
8 Weeks
Current Rating
10A
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Nominal Vgs
4 V
FET Type
N-Channel
Power Dissipation-Max
43W Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 25V
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A Tc
Resistance
200mOhm
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Pin Count
3
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Number of Terminations
3
Width
4.7mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Voltage - Rated DC
60V
Threshold Voltage
2V
Fall Time (Typ)
19 ns
Weight
6.000006g
Recovery Time
140 ns
Power Dissipation
36W
Continuous Drain Current (ID)
10A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
40A
Length
10.41mm
Height
9.01mm
Avalanche Energy Rating (Eas)
47 mJ
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200m Ω @ 6A, 10V
Manufacturer's Part No.
IRFZ14PBF

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFZ14PBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRFZ14PBF?

IRFZ14PBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRFZ14PBF?

Для IRFZ14PBF указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRFZ14PBF в наличии?

Сейчас на странице указано 81321 шт. на складе и 81321 шт. доступно для IRFZ14PBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRFZ14PBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFZ14PBF от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRFZ14PBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFZ14PBF от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRFZ14PBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFZ14PBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.