Поставка оригинальных SIA906EDJ-T1-GE3, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Vishay

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных SIA906EDJ-T1-GE3, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Vishay | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

SIA906EDJ-T1-GE3

Внутренний код

TCE000063041

Упаковка

SC70-6

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SIA906EDJ-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

15 ns

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Turn-Off Delay Time
15 ns
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
5 ns
FET Feature
Logic Level Gate
Rise Time
12ns
Part Status
Active
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
REACH Status
Vendor Undefined
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Qualification Status
Not Qualified
Published
2015
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Height
850μm
Terminal Form
NO LEAD
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Power Dissipation
1.9W
Series
TrenchFET®
Contact Plating
Tin
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Reach Compliance Code
unknown
Element Configuration
Dual
Gate to Source Voltage (Vgs)
12V
Weight
28.009329mg
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Drain to Source Breakdown Voltage
20V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250μA
Fall Time (Typ)
12 ns
Width
2.05mm
Length
2.05mm
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
4.5A
Resistance
46mOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
46m Ω @ 3.9A, 4.5V
Max Power Dissipation
7.8W
Manufacturer Package Identifier
C-07431-DUAL
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Manufacturer's Part No.
SIA906EDJ-T1-GE3

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIA906EDJ-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SIA906EDJ-T1-GE3?

SIA906EDJ-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SIA906EDJ-T1-GE3?

Для SIA906EDJ-T1-GE3 указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SIA906EDJ-T1-GE3 в наличии?

Сейчас на странице указано 10506 шт. на складе и 10004 шт. доступно для SIA906EDJ-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SIA906EDJ-T1-GE3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIA906EDJ-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SIA906EDJ-T1-GE3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIA906EDJ-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SIA906EDJ-T1-GE3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIA906EDJ-T1-GE3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

1 июл. 2026 г.

Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений

Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics

Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.

29 июн. 2026 г.

Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника

wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник

Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.