Поставка оригинальных NVD6824NLT4G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor

TO-252-3 Pre-ordered transistors RoHS

RoHS
Поставка оригинальных NVD6824NLT4G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NVD6824NLT4G

Внутренний код

TCE000064035

Упаковка

TO-252

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Защита цепи

Подкатегория

TVS - Диоды

Описание

TO-252-3 Pre-ordered transistors RoHS

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

TO-252-3 Pre-ordered transistors RoHS

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
6 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Form
GULL WING
Published
2013
Reach Compliance Code
not_compliant
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Transistor Element Material
SILICON
Categories
Circuit Protection
Sub-Categories
TVS - Diodes
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Length
6.73mm
Height
2.51mm
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Surface Mount
YES
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Pin Count
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Drain to Source Breakdown Voltage
100V
Fall Time (Typ)
42 ns
Avalanche Energy Rating (Eas)
80 mJ
Lifecycle Status
LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Power Dissipation
3.9W
Continuous Drain Current (ID)
8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3468pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
NVD6824NLT4G
Power Dissipation-Max
3.9W Ta 90W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.5A Ta 41A Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20m Ω @ 20A, 10V
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn-Off Delay Time
31 ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
15 ns
Rise Time
55ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NVD6824NLT4G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NVD6824NLT4G?

NVD6824NLT4G — это компонент категории TVS - Диоды от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NVD6824NLT4G?

Для NVD6824NLT4G указан корпус TO-252. Текущее описание товара: TO-252-3 Pre-ordered transistors RoHS. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NVD6824NLT4G в наличии?

Сейчас на странице указано 86938 шт. на складе и 13701 шт. доступно для NVD6824NLT4G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NVD6824NLT4G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NVD6824NLT4G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NVD6824NLT4G?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для NVD6824NLT4G от ON Semiconductor. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом NVD6824NLT4G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NVD6824NLT4G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.