Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыVishayДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеVishay Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
SIR436DP-T1-GE3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay
SIR436DP-T1-GE3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SIR436DP-T1-GE3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet SIR436DP-T1-GE3Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIR436DP-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
32 ns
Product Parameter
Rise Time
11ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
22 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
32 ns
Rise Time
11ns
Turn On Delay Time
22 ns
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Published
2014
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A Tc
Terminal Form
C BEND
Weight
506.605978mg
Series
TrenchFET®
Continuous Drain Current (ID)
40A
Power Dissipation
5W
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Length
4.9mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Fall Time (Typ)
9 ns
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Drain-source On Resistance-Max
0.0046Ohm
Height
1.04mm
Width
5.89mm
Drain Current-Max (Abs) (ID)
25A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Power Dissipation-Max
5W Ta 50W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1715pF @ 15V
Manufacturer's Part No.
SIR436DP-T1-GE3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
JESD-30 Code
R-XDSO-C5
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIR436DP-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое SIR436DP-T1-GE3?
SIR436DP-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для SIR436DP-T1-GE3?
Для SIR436DP-T1-GE3 указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIR436DP-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 176743 шт. на складе и 93577 шт. доступно для SIR436DP-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIR436DP-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIR436DP-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIR436DP-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIR436DP-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIR436DP-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIR436DP-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IPB80P03P4L04ATMA1
172 покупали
TO263
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
Ориентировочная цена
$0.94
ZVP0545GTC
137 покупали
SOT223
RoHS
Datasheet
MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
Ориентировочная цена
Требуется запрос
NTD6600N
160 покупали
TO-252-3
RoHS
Datasheet
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Ориентировочная цена
Требуется запрос
Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о SIR436DP-T1-GE3, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС