Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы

NVD5117PLT4G Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor

NVD5117PLT4G — это модель из категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы. Известный корпус сейчас указан как TO-252 в карточке бренда ON Semiconductor. TO-252-3 MOSFET RoHS. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для NVD5117PLT4G, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
NVD5117PLT4G Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

NVD5117PLT4G

Внутренний код

TCE000071316

Упаковка

TO-252

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы

Описание

TO-252-3 MOSFET RoHS

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

TO-252-3 MOSFET RoHS

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
50 ns
Rise Time
195ns
Turn On Delay Time
22 ns
Number of Segments
80
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Factory Lead Time
19 Weeks
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2009
Part Status
Obsolete
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Series
Automotive, AEC-Q101
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Threshold Voltage
-1.5V
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Surface Mount
YES
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Pin Count
3
Avalanche Energy Rating (Eas)
240 mJ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Power Dissipation
4.1W
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Continuous Drain Current (ID)
11A
Drain-source On Resistance-Max
0.022Ohm
Lifecycle Status
LIFETIME (Last Updated: 6 days ago)
DS Breakdown Voltage-Min
60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16m Ω @ 29A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4.8nF @ 25V
Manufacturer's Part No.
NVD5117PLT4G
Power Dissipation-Max
4.1W Ta 118W Tc
Fall Time (Typ)
132 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A Ta 61A Tc

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NVD5117PLT4G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NVD5117PLT4G?

NVD5117PLT4G — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NVD5117PLT4G?

Для NVD5117PLT4G указан корпус TO-252. Текущее описание товара: TO-252-3 MOSFET RoHS. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NVD5117PLT4G в наличии?

Сейчас на странице указано 42852 шт. на складе и 30262 шт. доступно для NVD5117PLT4G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NVD5117PLT4G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NVD5117PLT4G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NVD5117PLT4G?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для NVD5117PLT4G от ON Semiconductor. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом NVD5117PLT4G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NVD5117PLT4G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о NVD5117PLT4G, категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС