Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
Micron TechnologyИнтегральные схемы (ИС)Память

Поставка оригинальных NAND01GR3B2BZA6E, Память, от Micron Technology

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных NAND01GR3B2BZA6E, Память, от Micron Technology | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NAND01GR3B2BZA6E

Внутренний код

TCE000072455

Упаковка

-

Производитель

Micron Technology

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Интегральные схемы (ИС)

Подкатегория

Память

Описание

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NAND01GR3B2BZA6E от Micron Technology в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Packaging

Tray

Product Attribute

Published

2008

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Part Status

Obsolete

Product Attribute

Length

12mm

Packaging
Tray
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
Mounting Type
Surface Mount
Part Status
Obsolete
Length
12mm
Categories
Integrated Circuits (ICs)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Pitch
0.8mm
Qualification Status
Not Qualified
Operating Temperature
-40°C~85°C TA
Number of Functions
1
Reflow Temperature-Max (s)
30
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Terminal Position
BOTTOM
Memory Type
Non-Volatile
Supply Voltage
1.8V
Operating Supply Voltage
1.8V
Nominal Supply Current
20mA
ECCN
3A991B1A
HTS Code
8542.32.00.51
Memory Interface
Parallel
Sub-Categories
Memory
Number of Sectors/Size
1K
Ready/Busy
YES
Command User Interface
YES
Sync/Async
Asynchronous
Memory Format
FLASH
Word Size
8b
Number of Pins
63
Number of Terminations
63
Memory Width
8
Standby Current-Max
0.00005A
Manufacturer
Micron Technology
Sector Size
128K
Data Polling
NO
Toggle Bit
NO
Write Cycle Time - Word, Page
30ns
Address Bus Width
28b
Base Part Number
NAND01G-A
Organization
128MX8
Technology
FLASH - NAND
Package / Case
63-TFBGA
Pin Count
63
Access Time (Max)
30 ns
Manufacturer's Part No.
NAND01GR3B2BZA6E
Terminal Finish
TIN SILVER COPPER
Supply Voltage-Max (Vsup)
1.95V
Supply Voltage-Min (Vsup)
1.7V
Density
1 Gb
Memory Size
1Gb 128M x 8
Voltage - Supply
1.7V~1.95V
Page Size
2Kwords
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
JESD-609 Code
e1
ECCN Code
3A991.B.1.A
HTSUS
8542.32.0051
Height Seated (Max)
1.05mm

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NAND01GR3B2BZA6E, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NAND01GR3B2BZA6E?

NAND01GR3B2BZA6E — это компонент категории Память от Micron Technology. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NAND01GR3B2BZA6E?

Для NAND01GR3B2BZA6E указан корпус -. Текущее описание товара: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NAND01GR3B2BZA6E в наличии?

Сейчас на странице указано 36696 шт. на складе и 33580 шт. доступно для NAND01GR3B2BZA6E. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NAND01GR3B2BZA6E?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NAND01GR3B2BZA6E от Micron Technology. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NAND01GR3B2BZA6E?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NAND01GR3B2BZA6E от Micron Technology, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NAND01GR3B2BZA6E?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NAND01GR3B2BZA6E.

Еще материалы по закупкам

Статьи

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

Читать

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Читать

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.

Читать