Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыCSD13302W — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. MOSFET N-CH 12V 1.6A. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для CSD13302W, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 12V 1.6A
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыОзнакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУзнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыПосмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
The CSD13302W is a high-performance power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. This component is designed for applications requiring efficient power management, such as in power supplies, motor drivers, and other electronic circuits.
Type: The CSD13302W is an N-channel MOSFET, which means it conducts when a positive voltage is applied to its gate relative to its source terminal.
Voltage Rating: It typically has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of around 30V, making it suitable for low to medium voltage applications.
Current Rating: The device can handle a continuous drain current (I_D) of approximately 60A, which allows it to manage significant power loads efficiently.
R_DS(on): One of the standout features of the CSD13302W is its low on-resistance (R_DS(on)), which is usually around 5.5 mΩ at a gate voltage of 10V. This low resistance minimizes power loss and heat generation during operation, enhancing overall efficiency.
Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is typically in the range of 1V to 2.5V, allowing for easy interfacing with low-voltage control signals.
Package Type: The CSD13302W is housed in a compact, thermally efficient package, often in a DPAK or similar surface-mount configuration, which facilitates easy integration into circuit boards and helps with heat dissipation.
Thermal Performance: The device is designed to operate efficiently at elevated temperatures, with a maximum junction temperature rating of around 150°C, making it suitable for demanding environments.
Applications: Common applications for the CSD13302W include synchronous rectification in power supplies, DC-DC converters, battery management systems, and motor control circuits.
The CSD13302W from Texas Instruments is a versatile and efficient power MOSFET that excels in applications requiring high current handling and low power loss. Its combination of low on-resistance, high current capacity, and robust thermal performance makes it an ideal choice for modern power management solutions.
Быстрый просмотр
Product Parameter
Terminal Finish
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
17 ns
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
6 ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Product Parameter
Rise Time
7ns
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD13302W, наличие, документацию и процесс закупки.
CSD13302W — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для CSD13302W указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 12V 1.6A. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 43232 шт. на складе и 63968 шт. доступно для CSD13302W. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD13302W от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD13302W от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD13302W.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.

MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC

MOSFET N-CH TO263-3

MOSFET N CH 60V 195A TO-220AB

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247

MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Еще материалы по закупкам
Изучите материалы о CSD13302W, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
