Поставка оригинальных M29W800DB70N6E, Память, от Micron Technology

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных M29W800DB70N6E, Память, от Micron Technology | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

M29W800DB70N6E

Внутренний код

TCE000078668

Упаковка

-

Производитель

Micron Technology

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Подкатегория

Память

Описание

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для M29W800DB70N6E от Micron Technology в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Density

8 Mb

Product Parameter

Maximum Operating Supply Voltage

260

Product Parameter

Maximum Data Rate

0.5mm

Product Parameter

Attenuation-Nom

e4

Product Parameter

Drain to Source Resistance

EAR99

Product Parameter

Transformer Type

yes

Density
8 Mb
Maximum Operating Supply Voltage
260
Maximum Data Rate
0.5mm
Attenuation-Nom
e4
Drain to Source Resistance
EAR99
Transformer Type
yes
Accessory Type
DUAL
Maximum Data Rate Range (Kbps)
1
Total Resistance
Tray
Triac Type
Obsolete
Transmission Media Type
3V
Voltage Rating
30
Output Peak Current Limit-Nom
1.2mm
Minimum Switching Frequency (kHz)
3/3.3V
Alternate Memory Width
8
Filter
YES
Drain to Source Voltage (Vdss)
YES
Number of Channels
BOTTOM BOOT BLOCK
Output Current Flow Direction
8542.32.00.51
Filter Type
48
Number of Turns
12mm
Typical Quiescent Current (mA)
FLASH - NOR
Categories
Integrated Circuits (ICs)
Housing Material
ROHS3 Compliant
Number of Contacts
No SVHC
Terminal Position
Surface Mount
Number of Bits
No
Flat Flex Type
YES
Radiation Hardening
-40°C~85°C TA
Converter Type
3 (168 Hours)
Specifications
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Sub-Categories
Memory
Ready/Busy
YES
Sync/Async
Asynchronous
Package / Case
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Boot Block
BOTTOM
FFC, FCB Thickness
10mA
Driver Number of Bits
Tin
Write Cycle Time - Word, Page
70ns
Access Time (Max)
70 ns
Sector Size
16K8K32K64K
Standby Current-Max
0.0001A
Number of Sectors/Size
12115
Manufacturer
Micron Technology
Supply Voltage
2008
Temperature Grade
48
FET Type
YES
Data Rate
48
Material Flammability Rating
Non-Volatile
Wire Gauge (Max)
16
Companding Law
YES
Diode Capacitance-Nom
Parallel
Reverse Recovery Time-Max
FLASH
Temperature Coefficient
2.7V~3.6V
Threshold Voltage
18.4mm
Series
8Mb 1M x 8 512K x 16
Bottom Termination
512KX16
Manufacturer Series
2.7V
Technology
M29W800
Manufacturer's Part No.
M29W800DB70N6E

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют M29W800DB70N6E, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое M29W800DB70N6E?

M29W800DB70N6E — это компонент категории Память от Micron Technology. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для M29W800DB70N6E?

Для M29W800DB70N6E указан корпус -. Текущее описание товара: IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли M29W800DB70N6E в наличии?

Сейчас на странице указано 42548 шт. на складе и 40481 шт. доступно для M29W800DB70N6E. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для M29W800DB70N6E?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для M29W800DB70N6E от Micron Technology. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для M29W800DB70N6E?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для M29W800DB70N6E от Micron Technology, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом M29W800DB70N6E?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для M29W800DB70N6E.

Еще материалы по закупкам

Статьи

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.