Поставка оригинальных 1N3070TR, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных 1N3070TR, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

1N3070TR

Внутренний код

TCE000080793

Упаковка

DO35

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для 1N3070TR от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Package Parameter

Diameter

1.91mm

Product Parameter

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Product Parameter

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Product Parameter

Operating Temperature - Junction

175°C Max

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Diode Type

Standard

Diameter
1.91mm
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1V @ 100mA
Operating Temperature - Junction
175°C Max
Number of Elements
1
Diode Type
Standard
Reverse Voltage
200V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
200V
Max Reverse Voltage (DC)
200V
Forward Voltage
1V
Max Surge Current
4A
Peak Non-Repetitive Surge Current
4A
Max Forward Surge Current (Ifsm)
4A
Peak Reverse Current
100nA
Reverse Recovery Time
50 ns
Forward Current
500mA
Average Rectified Current
500mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
100nA @ 175V
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Min Operating Temperature
-65°C
Published
2004
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Current Rating
500mA
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Discrete Semiconductor Products
Subcategory
Rectifier Diodes
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
HTS Code
8541.10.00.70
Capacitance @ Vr, F
5pF @ 0V 1MHz
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Width
6.35mm
Number of Pins
2
Max Operating Temperature
175°C
Power Dissipation
500mW
Voltage - Rated DC
200V
Length
6.35mm
Recovery Time
50 ns
Package / Case
DO-204AH, DO-35, Axial
Weight
80g
Output Current-Max
0.5A
Height
4.56mm
Manufacturer's Part No.
1N3070TR
Base Part Number
1N3070
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0070
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют 1N3070TR, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое 1N3070TR?

1N3070TR — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для 1N3070TR?

Для 1N3070TR указан корпус DO35. Текущее описание товара: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли 1N3070TR в наличии?

Сейчас на странице указано 10000 шт. на складе и 10000 шт. доступно для 1N3070TR. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для 1N3070TR?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для 1N3070TR от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для 1N3070TR?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для 1N3070TR от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом 1N3070TR?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для 1N3070TR.

Еще материалы по закупкам

Статьи

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.