Поставка оригинальных 1N6622US, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от Microsemi

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных 1N6622US, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от Microsemi | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

1N6622US

Внутренний код

TCE000080832

Упаковка

-

Производитель

Microsemi

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для 1N6622US от Microsemi в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Packaging

Bulk

Product Attribute

Min Operating Temperature

-65°C

Product Attribute

Lead Free

Contains Lead

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Packaging
Bulk
Min Operating Temperature
-65°C
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Published
1997
Factory Lead Time
17 Weeks
Contact Plating
Lead, Tin
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Technology
AVALANCHE
HTS Code
8541.10.00.80
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Terminal Form
WRAP AROUND
Terminal Position
END
Pbfree Code
no
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
2
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Pins
2
Pin Count
2
Max Operating Temperature
150°C
Case Connection
ISOLATED
Capacitance @ Vr, F
10pF @ 10V 1MHz
Manufacturer
Microsemi
Lifecycle Status
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
Radiation Hardening
Yes
Package / Case
SQ-MELF, A
Manufacturer's Part No.
1N6622US
Natural Thermal Resistance
13 °C/W
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS non-compliant
JESD-609 Code
e0
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin/Lead (Sn/Pb)
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Number of Elements
1
Number of Phases
1
Diode Element Material
SILICON
Diode Type
Standard
Operating Temperature - Junction
-65°C~150°C
Application
ULTRA FAST RECOVERY
Reverse Recovery Time
30 ns
Peak Reverse Current
500nA
Forward Voltage
1.6V
Peak Non-Repetitive Surge Current
20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.4V @ 1.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr
500nA @ 660V
Max Reverse Voltage (DC)
660V
Average Rectified Current
1.2A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
660V
Forward Current
1.2A

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют 1N6622US, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое 1N6622US?

1N6622US — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Одиночные от Microsemi. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для 1N6622US?

Для 1N6622US указан корпус -. Текущее описание товара: DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли 1N6622US в наличии?

Сейчас на странице указано 74092 шт. на складе и 30236 шт. доступно для 1N6622US. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для 1N6622US?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для 1N6622US от Microsemi. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для 1N6622US?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для 1N6622US от Microsemi, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом 1N6622US?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для 1N6622US.

Еще материалы по закупкам

Статьи

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.