Поставка оригинальных 1N6622, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от Microsemi

DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

RoHS
Datasheet
Поставка оригинальных 1N6622, Диоды - Выпрямители - Одиночные, от Microsemi | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

1N6622

Внутренний код

TCE000080834

Упаковка

-

Производитель

Microsemi

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для 1N6622 от Microsemi в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Tin/Lead (Sn/Pb)

Product Parameter

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Number of Phases

1

Product Parameter

Diode Element Material

SILICON

Product Parameter

Diode Type

Standard

Terminal Finish
Tin/Lead (Sn/Pb)
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Number of Elements
1
Number of Phases
1
Diode Element Material
SILICON
Diode Type
Standard
Operating Temperature - Junction
-65°C~150°C
Capacitance
10pF
Application
ULTRA FAST RECOVERY
Max Reverse Voltage (DC)
600V
Peak Reverse Current
500nA
Reverse Recovery Time
45 ns
Forward Voltage
1.6V
Peak Non-Repetitive Surge Current
20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.4V @ 1.2A
Average Rectified Current
1.2A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
660V
Forward Current
1.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr
500nA @ 600V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-609 Code
e0
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Packaging
Bulk
Min Operating Temperature
-65°C
Lead Free
Contains Lead
Published
1997
Factory Lead Time
17 Weeks
Contact Plating
Lead, Tin
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Technology
AVALANCHE
Terminal Form
WIRE
HTS Code
8541.10.00.80
Sub-Categories
Diodes - Rectifiers - Single
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Mount
Through Hole
Number of Terminations
2
Current Rating
2A
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Pins
2
Pin Count
2
Voltage - Rated DC
600V
Max Operating Temperature
150°C
Case Connection
ISOLATED
Output Current
2A
Manufacturer
Microsemi
Radiation Hardening
Yes
Manufacturer's Part No.
1N6622
Package / Case
A, Axial
Base Part Number
1N6622

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют 1N6622, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое 1N6622?

1N6622 — это компонент категории Диоды - Выпрямители - Одиночные от Microsemi. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для 1N6622?

Для 1N6622 указан корпус -. Текущее описание товара: DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли 1N6622 в наличии?

Сейчас на странице указано 10416 шт. на складе и 10135 шт. доступно для 1N6622. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для 1N6622?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для 1N6622 от Microsemi. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для 1N6622?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для 1N6622 от Microsemi, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом 1N6622?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для 1N6622.

Еще материалы по закупкам

Статьи

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

широкозонные полупроводникиSiCGaNсиловая электроника

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИСlead time

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

3 июл. 2026 г.

Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas

PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI

Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.