Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыInfineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеInfineon Technologies Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
IPB80P04P4L04ATMA1 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies
IPB80P04P4L04ATMA1 — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как TO263 в карточке бренда Infineon Technologies. MOSFET P-CH TO263-3. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для IPB80P04P4L04ATMA1, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Номер детали
IPB80P04P4L04ATMA1
Внутренний код
TCE000087091
Упаковка
TO263
Производитель
Infineon TechnologiesКлючевые характеристики
Серия
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH TO263-3
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet IPB80P04P4L04ATMA1Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для IPB80P04P4L04ATMA1 от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
The IPB80P04P4L04ATMA1 is a high-performance N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Infineon Technologies. This component is designed for various applications, including power management, motor control, and DC-DC converters, where efficient switching and low on-resistance are critical.
Key Features:
-
Voltage Rating: The IPB80P04P4L04ATMA1 has a maximum drain-source voltage (V_DS) of 40V, making it suitable for low-voltage applications.
-
Current Rating: It can handle continuous drain currents (I_D) of up to 80A, which allows it to manage significant power loads effectively.
-
On-Resistance: One of the standout features of this MOSFET is its low on-resistance (R_DS(on)), typically around 4 mΩ at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low resistance minimizes power losses during operation, enhancing overall efficiency.
-
Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is typically in the range of 1V to 2.5V, allowing for easy drive with standard logic levels.
-
Package Type: The IPB80P04P4L04ATMA1 is housed in a TO-220 package, which provides good thermal performance and allows for easy mounting on heatsinks for effective heat dissipation.
-
Thermal Resistance: The thermal resistance from junction to case (R_θJC) is low, which helps in maintaining lower operating temperatures during high-load conditions.
-
Switching Performance: This MOSFET is optimized for fast switching speeds, making it suitable for high-frequency applications. Its gate charge (Q_g) is also low, which contributes to reduced switching losses.
-
Robustness: The device is designed to withstand high levels of stress, with features that protect against over-voltage and over-current conditions.
Applications:
- Power Supply Circuits: Ideal for use in power supplies, where efficient switching is crucial for energy savings.
- Motor Drives: Suitable for driving motors in various applications, including automotive and industrial systems.
- DC-DC Converters: Commonly used in buck and boost converters due to its high efficiency and fast switching capabilities.
- Battery Management Systems: Effective in applications requiring precise control of battery charging and discharging.
Conclusion:
The IPB80P04P4L04ATMA1 from Infineon Technologies is a versatile and efficient N-channel MOSFET that excels in power management applications. Its combination of high current handling, low on-resistance, and robust thermal performance makes it a reliable choice for engineers looking to optimize their designs for efficiency and performance.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
13ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
119 ns
Product Parameter
Turn On Delay Time
28 ns
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
13ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Turn-Off Delay Time
119 ns
Turn On Delay Time
28 ns
Max Dual Supply Voltage
-40V
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Published
2011
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Length
10mm
Halogen Free
Halogen Free
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
FET Type
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)
±16V
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A Tc
Drain to Source Breakdown Voltage
-40V
Fall Time (Typ)
65 ns
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250μA
Height
4.4mm
Power Dissipation
125W
Power Dissipation-Max
125W Tc
Avalanche Energy Rating (Eas)
60 mJ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 25V
Width
9.25mm
Drain-source On Resistance-Max
0.0071Ohm
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
176nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
-80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4m Ω @ 80A, 10V
Manufacturer's Part No.
IPB80P04P4L04ATMA1
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IPB80P04P4L04ATMA1, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое IPB80P04P4L04ATMA1?
IPB80P04P4L04ATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для IPB80P04P4L04ATMA1?
Для IPB80P04P4L04ATMA1 указан корпус TO263. Текущее описание товара: MOSFET P-CH TO263-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли IPB80P04P4L04ATMA1 в наличии?
Сейчас на странице указано 103230 шт. на складе и 64372 шт. доступно для IPB80P04P4L04ATMA1. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для IPB80P04P4L04ATMA1?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IPB80P04P4L04ATMA1 от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для IPB80P04P4L04ATMA1?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IPB80P04P4L04ATMA1 от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом IPB80P04P4L04ATMA1?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IPB80P04P4L04ATMA1.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о IPB80P04P4L04ATMA1, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС