Проверка package и footprint
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Читайте datasheet производителя для IPB600N25N3GATMA1 от Infineon Technologies. Ищите по PDF, просматривайте ключевые данные по детали и отправляйте запрос цены для этого компонента Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, не покидая страницу.
Номер детали
IPB600N25N3GATMA1Внутренний код
TCE000096959
Упаковка
TO263
Подкатегория
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Запрос цены
Нужны цена, наличие или срок поставки по этой детали? Отправьте запрос прямо во время просмотра datasheet.
Техническая сводка
IPB600N25N3GATMA1 от Infineon Technologies — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные в корпусе TO263. Используйте datasheet производителя для проверки электрических, механических и заказных параметров.
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Part Status
Active
Используйте datasheet IPB600N25N3GATMA1 от Infineon Technologies, чтобы проверить ratings, package details, рабочие ограничения и ordering information для проектирования или закупки.
Встроенный PDF
Engineering support
Если команда уперлась в трактовку package, pin-level details, недостающие электрические параметры или qualification questions по IPB600N25N3GATMA1 от Infineon Technologies, свяжитесь с нашим engineering-friendly контактом для более технического обсуждения.
Вы можете написать нашему engineering support контакту на [email protected] или открыть страницу contact-us, если вопрос нужно передать шире по команде.
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Можно разобрать pin naming, signal mapping, interface expectations и другие спорные моменты при чтении datasheet.
Поможем вынести наружу недостающие specs, compliance документы и qualification details, которые еще нужны команде.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.

MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

MOSFET N-CH 620V 2.2A TO-220FP

MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN

MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Частые вопросы
IPB600N25N3GATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. На этой странице собраны datasheet производителя и базовые данные по детали для технической проверки и закупки.
Используйте поле поиска над viewer. Поиск работает внутри PDF.js reader, поэтому найденные совпадения можно просматривать прямо в документе.
Да. Используйте кнопку запроса цены на этой странице, чтобы отправить email, количество и целевую цену для IPB600N25N3GATMA1 от Infineon Technologies.
На этой странице datasheet IPB600N25N3GATMA1 указан с корпусом TO263. Для проверки посадочного места, распиновки и механических параметров следует использовать PDF-документ.
Сначала проверьте разделы с ключевыми пределами, электрическими параметрами, поведением интерфейса и группой атрибутов, начинающейся с Product Attribute. Обычно именно там подтверждается, подходит ли IPB600N25N3GATMA1 под требования проекта.
Да. Эта страница позволяет скачать PDF datasheet производителя для IPB600N25N3GATMA1 от Infineon Technologies, сохраняя HTML-страницу datasheet доступной для поиска и просмотра.
