Проверка package и footprint
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Читайте datasheet производителя для IPB80N06S2LH5ATMA4 от Infineon Technologies. Ищите по PDF, просматривайте ключевые данные по детали и отправляйте запрос цены для этого компонента Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, не покидая страницу.
Номер детали
IPB80N06S2LH5ATMA4Внутренний код
TCE000096965
Упаковка
TO263
Подкатегория
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Запрос цены
Нужны цена, наличие или срок поставки по этой детали? Отправьте запрос прямо во время просмотра datasheet.
Техническая сводка
IPB80N06S2LH5ATMA4 от Infineon Technologies — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные в корпусе TO263. Используйте datasheet производителя для проверки электрических, механических и заказных параметров.
Max Dual Supply Voltage
55V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
JESD-609 Code
e3
Используйте datasheet IPB80N06S2LH5ATMA4 от Infineon Technologies, чтобы проверить ratings, package details, рабочие ограничения и ordering information для проектирования или закупки.
Встроенный PDF
Engineering support
Если команда уперлась в трактовку package, pin-level details, недостающие электрические параметры или qualification questions по IPB80N06S2LH5ATMA4 от Infineon Technologies, свяжитесь с нашим engineering-friendly контактом для более технического обсуждения.
Вы можете написать нашему engineering support контакту на [email protected] или открыть страницу contact-us, если вопрос нужно передать шире по команде.
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Можно разобрать pin naming, signal mapping, interface expectations и другие спорные моменты при чтении datasheet.
Поможем вынести наружу недостающие specs, compliance документы и qualification details, которые еще нужны команде.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.

MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363

MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

MOSFET N-CH TO220-3
Частые вопросы
IPB80N06S2LH5ATMA4 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. На этой странице собраны datasheet производителя и базовые данные по детали для технической проверки и закупки.
Используйте поле поиска над viewer. Поиск работает внутри PDF.js reader, поэтому найденные совпадения можно просматривать прямо в документе.
Да. Используйте кнопку запроса цены на этой странице, чтобы отправить email, количество и целевую цену для IPB80N06S2LH5ATMA4 от Infineon Technologies.
На этой странице datasheet IPB80N06S2LH5ATMA4 указан с корпусом TO263. Для проверки посадочного места, распиновки и механических параметров следует использовать PDF-документ.
Сначала проверьте разделы с ключевыми пределами, электрическими параметрами, поведением интерфейса и группой атрибутов, начинающейся с Export Classifications & Environmental. Обычно именно там подтверждается, подходит ли IPB80N06S2LH5ATMA4 под требования проекта.
Да. Эта страница позволяет скачать PDF datasheet производителя для IPB80N06S2LH5ATMA4 от Infineon Technologies, сохраняя HTML-страницу datasheet доступной для поиска и просмотра.
