Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo

SI2335DS-T1-E3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay

SI2335DS-T1-E3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как SOT23 в карточке бренда Vishay. MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SI2335DS-T1-E3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
SI2335DS-T1-E3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

SI2335DS-T1-E3

Внутренний код

TCE000102171

Упаковка

SOT23

Производитель

Vishay

Ключевые характеристики

Серия

TrenchFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet SI2335DS-T1-E3

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для SI2335DS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet SI2335DS-T1-E3

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Product Parameter

Turn On Delay Time

13 ns

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

50 ns

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Product Parameter

Rise Time

15ns

Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Turn On Delay Time
13 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
50 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Rise Time
15ns
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Published
2015
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Power Dissipation
750mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Series
TrenchFET®
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Number of Terminations
3
Resistance
51MOhm
Drain to Source Breakdown Voltage
-12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Fall Time (Typ)
15 ns
Continuous Drain Current (ID)
-4A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1225pF @ 6V
Nominal Vgs
-450 mV
Rds On (Max) @ Id, Vgs
51m Ω @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250μA (Min)
Manufacturer's Part No.
SI2335DS-T1-E3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2335DS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое SI2335DS-T1-E3?

SI2335DS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для SI2335DS-T1-E3?

Для SI2335DS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли SI2335DS-T1-E3 в наличии?

Сейчас на странице указано 42859 шт. на складе и 34391 шт. доступно для SI2335DS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для SI2335DS-T1-E3?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2335DS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для SI2335DS-T1-E3?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2335DS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом SI2335DS-T1-E3?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2335DS-T1-E3.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о SI2335DS-T1-E3, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС