Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыVishayДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеVishay Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
SI2323DS-T1-GE3 Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay
SI2323DS-T1-GE3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как SOT23 в карточке бренда Vishay. MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SI2323DS-T1-GE3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet SI2323DS-T1-GE3Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2323DS-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Rise Time
43ns
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Product Parameter
Turn On Delay Time
25 ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
71 ns
Rise Time
43ns
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Turn On Delay Time
25 ns
Turn-Off Delay Time
71 ns
Drain to Source Resistance
39mOhm
Rds On Max
39 mΩ
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Factory Lead Time
19 Weeks
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Min Operating Temperature
-55°C
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2015
Element Configuration
Single
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
Vishay
Power Dissipation
750mW
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Drain to Source Breakdown Voltage
-20V
Width
1.4mm
Max Operating Temperature
150°C
Length
3.04mm
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Weight
1.437803g
Height
1.02mm
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.7A Ta
Resistance
39MOhm
Fall Time (Typ)
43 ns
Continuous Drain Current (ID)
-4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 10V
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
SI2323DS-T1-GE3
Input Capacitance
1.02nF
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2323DS-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое SI2323DS-T1-GE3?
SI2323DS-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для SI2323DS-T1-GE3?
Для SI2323DS-T1-GE3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2323DS-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 54292 шт. на складе и 38411 шт. доступно для SI2323DS-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2323DS-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2323DS-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2323DS-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2323DS-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2323DS-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2323DS-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о SI2323DS-T1-GE3, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС