Проверка package и footprint
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Читайте datasheet производителя для IPD30N03S4L09ATMA1 от Infineon Technologies. Ищите по PDF, просматривайте ключевые данные по детали и отправляйте запрос цены для этого компонента Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, не покидая страницу.
Номер детали
IPD30N03S4L09ATMA1Внутренний код
TCE000105060
Упаковка
TO252
Подкатегория
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Запрос цены
Нужны цена, наличие или срок поставки по этой детали? Отправьте запрос прямо во время просмотра datasheet.
Техническая сводка
IPD30N03S4L09ATMA1 от Infineon Technologies — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные в корпусе TO252. Используйте datasheet производителя для проверки электрических, механических и заказных параметров.
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Part Status
Active
Используйте datasheet IPD30N03S4L09ATMA1 от Infineon Technologies, чтобы проверить ratings, package details, рабочие ограничения и ordering information для проектирования или закупки.
Встроенный PDF
Engineering support
Если команда уперлась в трактовку package, pin-level details, недостающие электрические параметры или qualification questions по IPD30N03S4L09ATMA1 от Infineon Technologies, свяжитесь с нашим engineering-friendly контактом для более технического обсуждения.
Вы можете написать нашему engineering support контакту на [email protected] или открыть страницу contact-us, если вопрос нужно передать шире по команде.
Поможем уточнить package fit, mechanical references и вопросы по footprint до следующего этапа дизайна или закупки.
Можно разобрать pin naming, signal mapping, interface expectations и другие спорные моменты при чтении datasheet.
Поможем вынести наружу недостающие specs, compliance документы и qualification details, которые еще нужны команде.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.

MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

MOSFET N-CH 20V 92A TO-220AB

MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Частые вопросы
IPD30N03S4L09ATMA1 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. На этой странице собраны datasheet производителя и базовые данные по детали для технической проверки и закупки.
Используйте поле поиска над viewer. Поиск работает внутри PDF.js reader, поэтому найденные совпадения можно просматривать прямо в документе.
Да. Используйте кнопку запроса цены на этой странице, чтобы отправить email, количество и целевую цену для IPD30N03S4L09ATMA1 от Infineon Technologies.
На этой странице datasheet IPD30N03S4L09ATMA1 указан с корпусом TO252. Для проверки посадочного места, распиновки и механических параметров следует использовать PDF-документ.
Сначала проверьте разделы с ключевыми пределами, электрическими параметрами, поведением интерфейса и группой атрибутов, начинающейся с Product Attribute. Обычно именно там подтверждается, подходит ли IPD30N03S4L09ATMA1 под требования проекта.
Да. Эта страница позволяет скачать PDF datasheet производителя для IPD30N03S4L09ATMA1 от Infineon Technologies, сохраняя HTML-страницу datasheet доступной для поиска и просмотра.
