Получить образец
Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.
Запросить образцыVishayДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыVishay Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
SIA533EDJ-T1-GE3 Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay
SIA533EDJ-T1-GE3 — это модель из категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы. Известный корпус сейчас указан как SC70-6 в карточке бренда Vishay. MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для SIA533EDJ-T1-GE3, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Проверка подлинности и прослеживаемости
Быстрый ответ по RFQ
Поддержка по документации
Проверка перед отгрузкой
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Основные характеристики
-
Техническое описание
Открыть datasheet SIA533EDJ-T1-GE3Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIA533EDJ-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Процесс заказа
Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку
Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.
Как заказать этот товар
Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.
1
Проверьте позицию и количество
Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.
2
Отправьте RFQ или запрос на образец
Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.
3
Согласуйте доставку, оплату и документы
До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.
Какие policy обычно проверяют покупатели
Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.
Доставка и отгрузка
Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.
Посмотреть условия доставкиУсловия оплаты
Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.
Посмотреть условия оплатыЦентр качества и прослеживаемости
Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.
Посмотреть quality workflowСтруктурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Product Parameter
Number of Channels
2
Product Parameter
Number of Elements
2
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Product Parameter
FET Feature
Logic Level Gate
Product Attribute
Part Status
Active
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
FET Feature
Logic Level Gate
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Qualification Status
Not Qualified
Published
2015
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Terminal Form
C BEND
Series
TrenchFET®
Mount
Surface Mount
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Height
800μm
Weight
28.009329mg
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID)
4.5A
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Threshold Voltage
400mV
Drain to Source Breakdown Voltage
12V
Resistance
34mOhm
Nominal Vgs
400 mV
Max Power Dissipation
7.8W
Package / Case
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34m Ω @ 4.6A, 4.5V
Manufacturer's Part No.
SIA533EDJ-T1-GE3
Base Part Number
SIA533
Power Dissipation
7.8W
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIA533EDJ-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Что такое SIA533EDJ-T1-GE3?
SIA533EDJ-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Какой корпус и описание указаны для SIA533EDJ-T1-GE3?
Для SIA533EDJ-T1-GE3 указан корпус SC70-6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIA533EDJ-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 95312 шт. на складе и 39844 шт. доступно для SIA533EDJ-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIA533EDJ-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIA533EDJ-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIA533EDJ-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIA533EDJ-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIA533EDJ-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIA533EDJ-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF7379PBF
201 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Ориентировочная цена
Требуется запрос
BSS138DW-7
148 покупали
SC70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
Ориентировочная цена
Требуется запрос
SIA923EDJ-T1-GE3
150 покупали
SC-70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Ориентировочная цена
$4.59Еще материалы по закупкам
Статьи
Изучите материалы о SIA533EDJ-T1-GE3, категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.
17 июл. 2026 г.
Поставки FPGA в 2026 году: структура выбора для закупок AMD Xilinx, Intel, Microchip и LatticeРуководство по закупке FPGA для production BOM в 2026 году: жизненный цикл, стоимость редизайна и границы квалификации для семейств AMD Xilinx, Intel, Microchip PolarFire и Lattice.
FPGAAMD XilinxIntel
11 июл. 2026 г.
Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важенСрез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.
широкозонные полупроводникиSiCGaN
8 июл. 2026 г.
Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИСОриентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.
Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС