Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo

IRF6616TR1PBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies

IRF6616TR1PBF — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для IRF6616TR1PBF, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
IRF6616TR1PBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

IRF6616TR1PBF

Внутренний код

TCE000116600

Упаковка

-

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet IRF6616TR1PBF

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRF6616TR1PBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet IRF6616TR1PBF

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn-Off Delay Time

21 ns

Product Parameter

Turn On Delay Time

15 ns

Product Parameter

Dual Supply Voltage

40V

Product Parameter

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Product Parameter

Rise Time

19ns

Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
21 ns
Turn On Delay Time
15 ns
Dual Supply Voltage
40V
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Rise Time
19ns
Rds On Max
5 mΩ
Drain to Source Resistance
6.2mOhm
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2007
Min Operating Temperature
-40°C
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Termination
SMD/SMT
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Operating Temperature
-40°C~150°C TJ
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
5
Nominal Vgs
1.8 V
Threshold Voltage
1.8V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Length
6.35mm
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Continuous Drain Current (ID)
15A
Power Dissipation
2.8W
Width
5.05mm
Resistance
5MOhm
Height
508μm
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250μA
Package / Case
DirectFET™ Isometric MX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Power Dissipation-Max
2.8W Ta 89W Tc
Fall Time (Typ)
4.4 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3765pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A Ta 106A Tc
Recovery Time
23 ns
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MX
Manufacturer's Part No.
IRF6616TR1PBF
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
Input Capacitance
3.765nF

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRF6616TR1PBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRF6616TR1PBF?

IRF6616TR1PBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRF6616TR1PBF?

Для IRF6616TR1PBF указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRF6616TR1PBF в наличии?

Сейчас на странице указано 45385 шт. на складе и 35249 шт. доступно для IRF6616TR1PBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRF6616TR1PBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRF6616TR1PBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRF6616TR1PBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRF6616TR1PBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRF6616TR1PBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRF6616TR1PBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о IRF6616TR1PBF, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС