Что такое SIB914DK-T1-GE3?
SIB914DK-T1-GE3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SIB914DK-T1-GE3, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от Vishay
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
RoHS
Datasheet
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SIB914DK-T1-GE3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Product Attribute
REACH Status
REACH Unaffected
Product Attribute
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Published
2012
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Height
750μm
Manufacturer
Vishay
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Terminal Form
C BEND
Series
TrenchFET®
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Width
1.6mm
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Pin Count
6
Element Configuration
Dual
Power Dissipation
1.1W
Length
1.6mm
Weight
95.991485mg
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Threshold Voltage
800mV
Fall Time (Typ)
7 ns
Continuous Drain Current (ID)
1.5A
Nominal Vgs
800 mV
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Max Power Dissipation
3.1W
Gate to Source Voltage (Vgs)
5V
Drain to Source Breakdown Voltage
8V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.6nC @ 5V
Manufacturer's Part No.
SIB914DK-T1-GE3
Base Part Number
SIB914
Rds On (Max) @ Id, Vgs
113m Ω @ 2.5A, 4.5V
Resistance
113mOhm
Package / Case
PowerPAK® SC-75-6L Dual
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Turn On Delay Time
4 ns
Turn-Off Delay Time
22 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
8V
Rise Time
7ns
FET Feature
Standard
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SIB914DK-T1-GE3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SIB914DK-T1-GE3?
Для SIB914DK-T1-GE3 указан корпус SC75-6. Текущее описание товара: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SIB914DK-T1-GE3 в наличии?
Сейчас на странице указано 79553 шт. на складе и 62785 шт. доступно для SIB914DK-T1-GE3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SIB914DK-T1-GE3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SIB914DK-T1-GE3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SIB914DK-T1-GE3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SIB914DK-T1-GE3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SIB914DK-T1-GE3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SIB914DK-T1-GE3.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
FDD8424H
136 покупали
TO-252-5
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
FDS9934C
225 покупали
8SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
SI3993DV-T1-E3
134 покупали
TSOP
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
Ориентировочная цена
$0.34Добавить в список RFQ
IRF7329PBF
197 покупали
8-SOIC
RoHS
Datasheet
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.24Добавить в список RFQ
SIA906EDJ-T1-GE3
134 покупали
SC70-6
RoHS
Datasheet
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Ориентировочная цена
$0.40Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
3 июл. 2026 г.
Как читать PCN и не останавливать линию: кейсы TI и Renesas
PCNproduct change notificationзакупка электроникиTI
Практическое руководство по PCN для procurement, SQE, IQC и engineering teams: на реальных кейсах TI и Renesas разбираем, какие product change notifications требуют только отслеживания, а какие требуют валидации или эскалации.
1 июл. 2026 г.
Руководство по выбору датчиков Холла 2026: практический фреймворк для switch, latch, linear и current-sense решений
Hall sensormagnetic sensorcurrent sensorautomotive electronics
Практическое руководство по выбору датчиков Холла для закупщиков и инженеров: switch, latch, linear и current-sense устройства, с репрезентативными MPN, границами верификации и действиями по sourcing.
29 июн. 2026 г.
Непрерывность поставок Wolfspeed SiC в 2026 году: рамка для закупщика по квалификации второго источника
wolfspeedsicнепрерывность-поставоквторой-источник
Как история поставок Wolfspeed SiC в 2026 году меняет решения по закупке: что фиксировать контрактом, где квалифицировать второй источник и какие границы непрерывности на уровне MPN действительно важны.