Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных BSP315PH6327XTSA1, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных BSP315PH6327XTSA1, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
BSP315PH6327XTSA1
Внутренний код
TCE000009141
Упаковка
SOT-223
Серия
SIPMOS®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии878,222
Доступно64,502

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Number of Terminations
4
Number of Pins
4
Pin Count
4
Lead Free
Lead Free
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Published
1999
Reflow Temperature-Max (s)
40
Factory Lead Time
10 Weeks
Halogen Free
Halogen Free
Termination
SMD/SMT
Height
1.8mm
Packaging
Cut Tape (CT)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Length
6.5mm
Width
6.7mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Drain-source On Resistance-Max
0.8Ohm
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Fall Time (Typ)
19 ns
Recovery Time
46 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Element Material
SILICON
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 160μA
Drain to Source Breakdown Voltage
-60V
Manufacturer's Part No.
BSP315PH6327XTSA1
FET Type
P-Channel
Manufacturer Package Identifier
PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Threshold Voltage
-1.5V
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V
Power Dissipation-Max
1.8W Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.17A Ta
Series
SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800m Ω @ 1.17A, 10V
Continuous Drain Current (ID)
1.17A
Nominal Vgs
-1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Subcategory
Other Transistors

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
32 ns
Turn On Delay Time
24 ns
Rise Time
9ns
Dual Supply Voltage
-60V
Max Dual Supply Voltage
-60V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.