Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRF4905STRLPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRF4905STRLPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRF4905STRLPBF
Внутренний код
TCE000009870
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии544,021
Доступно483,058

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Parameter

Number of Elements
1
Number of Channels
1
Turn On Delay Time
20 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Rise Time
99ns
Turn-Off Delay Time
51 ns
Dual Supply Voltage
-55V

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Resistance
20mOhm
Published
1997
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Threshold Voltage
-2V
Height
4.83mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Width
10.54mm
Length
10.54mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
64 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nominal Vgs
-4 V
Manufacturer's Part No.
IRF4905STRLPBF
Power Dissipation
3.8W
Voltage - Rated DC
-55V
Drain to Source Breakdown Voltage
-55V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Current Rating
-74A
Continuous Drain Current (ID)
-42A
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
280A
Recovery Time
92 ns
Power Dissipation-Max
170W Tc
Additional Feature
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Manufacturer Package Identifier
D2Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20m Ω @ 42A, 10V

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.