Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRLR2905ZTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRLR2905ZTRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRLR2905ZTRPBF
Внутренний код
TCE000011647
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии864,449
Доступно646,497

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Turn On Delay Time
14 ns
Turn-Off Delay Time
24 ns
Rise Time
130ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Dual Supply Voltage
55V

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2010
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
6.22mm
Height
2.2606mm
Length
6.7056mm
Threshold Voltage
3V
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs (Max)
±16V
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Voltage - Rated DC
55V
Power Dissipation
110W
Power Dissipation-Max
110W Tc
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
240A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A Tc
Continuous Drain Current (ID)
42mA
Recovery Time
33 ns
Fall Time (Typ)
33 ns
Avalanche Energy Rating (Eas)
85 mJ
Manufacturer's Part No.
IRLR2905ZTRPBF
Resistance
13.5MOhm
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5m Ω @ 36A, 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
Drain Current-Max (Abs) (ID)
42A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Current Rating
60A

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.