Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRFR5410TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRFR5410TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRFR5410TRPBF
Внутренний код
TCE000011829
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии368,180
Доступно642,899

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Number of Pins
3
Factory Lead Time
12 Weeks
Published
1999
Reflow Temperature-Max (s)
30
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Width
6.22mm
Height
2.52mm
Length
6.7056mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Fall Time (Typ)
46 ns
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Nominal Vgs
-4 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A Tc
Threshold Voltage
-4V
Continuous Drain Current (ID)
-13A
Current Rating
-13A
Recovery Time
190 ns
Drain to Source Breakdown Voltage
-100V
Voltage - Rated DC
-100V
Power Dissipation-Max
66W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs
205m Ω @ 7.8A, 10V
Additional Feature
HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
52A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
IRFR5410TRPBF
Power Dissipation
66W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Resistance
205mOhm

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Number of Channels
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Turn-Off Delay Time
45 ns
Rise Time
58ns
Turn On Delay Time
15 ns
Dual Supply Voltage
-100V

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.