Поставка оригинальных MC33174DR2G, Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps, от ON Semiconductor
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Доступность
Диапазон цен
| Качество | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | |
| 10 | |
| 30 | |
| 100 | |
| 500 | |
| 1,000 |
Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.
Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.
Обзор
These devices operate at 180 μA per amplifier and offer 1.8 MHz of gain bandwidth product and 2.1 V/μs slew rate without the use of JFET device technology. Although this series can be operated from split supplies, it is particularly suited for single supply operation, since the common mode input voltage includes ground potential (VEE).With a Darlington input stage, these devices exhibit high input resistance, low input offset voltage and high gain.
The all NPN output stage, characterized by no deadband crossover distortion and large output voltage swing, provides high capacitance drive capability, excellent phase and gain margins, low open loop high frequency output impedance and symmetrical source/sink AC frequency response.
The MC33171/72/74 are specified over the industrial/automotive temperature ranges.
The complete series of single, dual and quad operational amplifiers are available in plastic as well as the surface mount packages.
Features
• Low Supply Current: 180 μA (Per Amplifier)
• Wide Supply Operating Range: 3.0 V to 44 V or ±1.5 V to ±22 V
• Wide Input Common Mode Range, Including Ground (VEE)
• Wide Bandwidth: 1.8 MHz
• High Slew Rate: 2.1 V/μs
• Low Input Offset Voltage: 2.0 mV
• Large Output Voltage Swing: −14.2 V to +14.2 V (with ±15 V Supplies)
• Large Capacitance Drive Capability: 0 pF to 500 pF
• Low Total Harmonic Distortion: 0.03%
• Excellent Phase Margin: 60°
• Excellent Gain Margin: 15 dB
• Output Short Circuit Protection
• ESD Diodes Provide Input Protection for Dual and Quad
• Pb−Free Packages are Available
• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site and Control Changes
Export Classifications & Environmental
Product Attribute
Product Parameter
Статьи
Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.
Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.
Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.