Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных IRFR4105TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies

Поставка оригинальных IRFR4105TRPBF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от Infineon Technologies | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
IRFR4105TRPBF
Внутренний код
TCE000012710
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Минимальное количество
1
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии144,640
Доступно282,226

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Turn On Delay Time
7 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Dual Supply Voltage
55V
Rise Time
49ns
Turn-Off Delay Time
31 ns

Product Attribute

Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Number of Terminations
2
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Number of Pins
3
Mount
Surface Mount, Through Hole
Factory Lead Time
12 Weeks
Reflow Temperature-Max (s)
30
Published
2005
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Resistance
45mOhm
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Continuous Drain Current (ID)
27A
Length
6.7056mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Element Configuration
Single
Threshold Voltage
4V
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Fall Time (Typ)
40 ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Drain Current-Max (Abs) (ID)
20A
Width
2.38mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nominal Vgs
4 V
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Voltage - Rated DC
55V
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Height
2.3876mm
Current Rating
25A
Power Dissipation
48W
Avalanche Energy Rating (Eas)
65 mJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45m Ω @ 16A, 10V
Manufacturer's Part No.
IRFR4105TRPBF
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Power Dissipation-Max
68W Tc
Recovery Time
86 ns

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.