Логотип сайта TrustCompo Electronic | TrustCompo Electronic

Поставка оригинальных FQP17P10, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от ON Semiconductor

Поставка оригинальных FQP17P10, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, от ON Semiconductor | TrustCompo Electronic

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали
FQP17P10
Внутренний код
TCE000012911
Упаковка
TO-220
Серия
QFET®
Основные характеристики
-
Описание
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
Минимальное количество
1
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Discrete Semiconductor Products
Подкатегория
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Техническое описание
-

Доступность

В наличии753,343
Доступно802,666

Диапазон цен

КачествоЦена за единицу
1
10
30
100
500
1,000

Из-за различных местных правил, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней котировки.

Сертифицированное обеспечение качества
Оперативная поддержка 24/7
Бесплатная доставка и предоставление образцов
Политика возврата в течение 30 дней

Мы сертифицированы по ISO 9001, AS 9120B, IOS 14001, что гарантирует соответствие нашей системы менеджмента качества международным стандартам. Эта сертификация гарантирует, что каждый поставляемый нами электронный компонент является подлинным, надежным и отслеживаемым. Наша специализированная инспекционная группа проводит строгие проверки качества для предотвращения подделок и снижения частоты отказов. Придерживаясь этих строгих мер контроля качества, мы обеспечиваем нашим клиентам спокойствие и продукты, которым они могут доверять.

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code
e3
ECCN Code
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not applicable
HTSUS
8541.29.0095

Product Parameter

Number of Elements
1
Number of Channels
1
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Rise Time
200ns
Turn-Off Delay Time
45 ns
Turn On Delay Time
17 ns
Dual Supply Voltage
-100V

Product Attribute

Contact Plating
Tin
Part Status
Active
Radiation Hardening
NO
Mounting Type
Through Hole
Termination
Through Hole
Mount
Through Hole
Pbfree Code
Yes
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Pitch
2.54mm
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Factory Lead Time
9 Weeks
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Number of Terminations
3
Number of Pins
3
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Published
1999
Width
4.7mm
Length
10.1mm
Element Configuration
Single
Height
20.4mm
Fall Time (Typ)
100 ns
Manufacturer
ON Semiconductor
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Nominal Vgs
-4 V
Threshold Voltage
-4V
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation
100W
Drain to Source Breakdown Voltage
-100V
Voltage - Rated DC
-100V
Weight
1.8g
Current Rating
-16.5A
Continuous Drain Current (ID)
-16.5A
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190m Ω @ 8.25A, 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
66A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16.5A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Resistance
190MOhm
Power Dissipation-Max
100W Tc
Manufacturer's Part No.
FQP17P10
Avalanche Energy Rating (Eas)
580 mJ

Статьи

Ключевые преимущества MRAM в аэрокосмической отрасли: радиационная стойкость, неограниченное количество циклов чтения/записи и низкое энергопотребление

Благодаря своим уникальным свойствам — радиационной стойкости, неограниченному количеству циклов чтения/записи и низкому энергопотреблению — MRAM (магниторезистивная оперативная память) становится предпочтительным выбором для нового поколения космических запоминающих устройств. В этой статье мы подробно разберем ключевые преимущества и области применения MRAM в аэрокосмической сфере.

Обзор MR25H40CDF SPI MRAM и преимущества наличия на складе

Технические характеристики, сферы применения, примеры и преимущества склада TrustCompo Electronic для MR25H40CDF.

Главные новости отрасли электронных компонентов — последняя неделя июня 2025

Ключевые события и аналитика в отрасли электронных компонентов за четвёртую неделю июня 2025 года.