Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
Infineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеInfineon Technologies Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

IRFR5305TRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies

IRFR5305TRPBF — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как TO-252-3 в карточке бренда Infineon Technologies. MOSFET P-CH 55V 31A DPAK. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для IRFR5305TRPBF, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
IRFR5305TRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

IRFR5305TRPBF

Внутренний код

TCE000029986

Упаковка

TO-252-3

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet IRFR5305TRPBF

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRFR5305TRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet IRFR5305TRPBF

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Parameter

Rise Time

66ns

Product Parameter

Number of Channels

1

Product Parameter

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

30

Product Parameter

Number of Elements

1

Product Parameter

Turn On Delay Time

14 ns

Product Parameter

Max Dual Supply Voltage

55V

Rise Time
66ns
Number of Channels
1
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
30
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
14 ns
Max Dual Supply Voltage
55V
Dual Supply Voltage
-55V
Turn-Off Delay Time
39 ns
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Published
2000
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Height
2.39mm
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Max Junction Temperature (Tj)
175°C
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Nominal Vgs
-4 V
Threshold Voltage
-4V
Power Dissipation
110W
Power Dissipation-Max
110W Tc
Voltage - Rated DC
-55V
Length
6.73mm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Continuous Drain Current (ID)
-31A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Fall Time (Typ)
63 ns
Avalanche Energy Rating (Eas)
280 mJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Manufacturer's Part No.
IRFR5305TRPBF
Current Rating
-31A
Recovery Time
110 ns
Resistance
65mOhm
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65m Ω @ 16A, 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
-55V
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRFR5305TRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRFR5305TRPBF?

IRFR5305TRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRFR5305TRPBF?

Для IRFR5305TRPBF указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRFR5305TRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 173100 шт. на складе и 71089 шт. доступно для IRFR5305TRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRFR5305TRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRFR5305TRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRFR5305TRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRFR5305TRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRFR5305TRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRFR5305TRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о IRFR5305TRPBF, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС