Логотип сайта TrustCompo | TrustCompo
Infineon TechnologiesДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - ОдиночныеInfineon Technologies Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

IRLR3705ZTRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies

IRLR3705ZTRPBF — это модель из категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies, представленная на TrustCompo для покупателей, которым нужен понятный контекст по закупке и проверке до RFQ. Эта позиция находится в товарном пути Дискретные полупроводниковые изделия / Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные. Известный корпус сейчас указан как TO-252-3 в карточке бренда Infineon Technologies. MOSFET N-CH 55V 42A DPAK. TrustCompo собирает доступные данные по модели, бренду, товарной иерархии и спецификациям для IRLR3705ZTRPBF, чтобы покупатели быстрее переходили от проверки к запросу предложения.

RoHS
Datasheet
IRLR3705ZTRPBF Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies | TrustCompo
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Проверка подлинности и прослеживаемости

Быстрый ответ по RFQ

Поддержка по документации

Проверка перед отгрузкой

Номер детали

IRLR3705ZTRPBF

Внутренний код

TCE000032858

Упаковка

TO-252-3

Производитель

Infineon Technologies

Ключевые характеристики

Серия

HEXFET®

Минимальное количество

1

Категория

Дискретные полупроводниковые изделия

Подкатегория

Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные

Описание

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Основные характеристики

-

Техническое описание

Открыть datasheet IRLR3705ZTRPBF

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для IRLR3705ZTRPBF от Infineon Technologies в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet IRLR3705ZTRPBF

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

RoHS, REACH и lead-free документацию можно подтвердить на этапе RFQ
Traceability и Certificate of Conformance доступны по запросу
Поддержка pre-shipment inspection report для quality review

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Процесс заказа

Поймите, как оформить заказ и какие политики поддерживают закупку

Здесь собран быстрый путь к заказу и страницы policy, которые покупатели обычно просматривают перед подтверждением закупки компонента.

Как заказать этот товар

Простой B2B-процесс помогает инженерной и закупочной команде перейти от проверки позиции к коммерческому подтверждению.

1

Проверьте позицию и количество

Сверьте номер детали, корпус, ключевые характеристики и целевое количество, чтобы запрос цены точно отражал нужный вашей команде scope закупки.

2

Отправьте RFQ или запрос на образец

Используйте быстрый запрос цены для коммерческой оценки или запрос образца, если инженерная валидация еще идет и нужен небольшой объем для проверки.

3

Согласуйте доставку, оплату и документы

До финального подтверждения уточните сроки наличия, способ отгрузки, схему оплаты и любые документы по прослеживаемости или инспекции, которые нужны вашему процессу.

Какие policy обычно проверяют покупатели

Эти страницы объясняют правила работы по образцам, доставке, оплате и quality support до размещения заказа.

Получить образец

Запросите инженерные образцы для оценки применимости, проверки альтернатив и ускорения решения до размещения более крупного заказа.

Запросить образцы

Доставка и отгрузка

Ознакомьтесь с точкой отправки, вариантами перевозчиков, способами доставки и факторами, влияющими на срок транзита международных заказов.

Посмотреть условия доставки

Условия оплаты

Узнайте о поддерживаемых способах оплаты, типах инвойсов, валюте котировки и коммерческих границах международных B2B-заказов.

Посмотреть условия оплаты

Центр качества и прослеживаемости

Посмотрите, как входной контроль, проверка перед отгрузкой, traceability support, сертификаты и дополнительные тесты встроены в наш quality workflow.

Посмотреть quality workflow

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Просматривайте обзор, подробные характеристики и связанные материалы по закупке в одном структурированном блоке без перегрузки длинными разрозненными секциями.

Обзор продукта

Обзор

The IRLR3705ZTRPBF is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Infineon Technologies. This component is designed for high-efficiency power management applications, making it suitable for a variety of uses in both consumer and industrial electronics.

Key Features:

  1. N-Channel Configuration: The IRLR3705ZTRPBF is an N-channel MOSFET, which means it uses electrons as the charge carriers. This configuration typically offers lower on-resistance and higher efficiency compared to P-channel MOSFETs.

  2. Voltage Rating: The device has a maximum drain-source voltage (V_DS) rating of 30V, making it suitable for low to medium voltage applications.

  3. Current Rating: It can handle a continuous drain current (I_D) of up to 62A at a specified temperature, which allows it to manage significant power loads effectively.

  4. On-Resistance: The on-resistance (R_DS(on)) is typically around 0.0045 ohms at a gate-source voltage (V_GS) of 10V. This low on-resistance contributes to reduced power losses and improved thermal performance during operation.

  5. Gate Threshold Voltage: The gate threshold voltage (V_GS(th)) is in the range of 1V to 2.5V, which allows for easy driving with standard logic levels.

  6. Package Type: The IRLR3705ZTRPBF is available in a TO-220 package, which provides good thermal performance and is suitable for heat dissipation in high-power applications.

  7. Fast Switching Speed: This MOSFET is designed for fast switching applications, making it ideal for use in power supplies, motor drivers, and other applications where rapid on/off switching is required.

  8. Thermal Characteristics: The device has a thermal resistance junction-to-case (RθJC) that allows for efficient heat dissipation, which is critical in high-power applications to prevent overheating.

  9. RoHS Compliance: The IRLR3705ZTRPBF is compliant with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, ensuring that it is free from certain hazardous materials, making it environmentally friendly.

Applications:

  • Power Management: Used in DC-DC converters, power supplies, and battery management systems.
  • Motor Control: Suitable for driving motors in various applications, including robotics and industrial automation.
  • Switching Regulators: Ideal for use in switching power supplies where efficiency is critical.
  • LED Drivers: Can be used in LED lighting applications for efficient power control.

Conclusion:

The IRLR3705ZTRPBF from Infineon Technologies is a versatile and efficient N-channel MOSFET that is well-suited for a wide range of applications requiring reliable power management and switching capabilities. Its combination of high current handling, low on-resistance, and fast switching speed makes it a popular choice among engineers and designers in the electronics industry.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2006

Product Attribute

Factory Lead Time

12 Weeks

Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Factory Lead Time
12 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Case Connection
DRAIN
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Vgs (Max)
±16V
Voltage - Rated DC
55V
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Resistance
8MOhm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A Tc
Nominal Vgs
3 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Reflow Temperature-Max (s)
30
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Width
6.22mm
Threshold Voltage
3V
Current Rating
42A
Length
6.7056mm
Recovery Time
42 ns
Drain to Source Breakdown Voltage
55V
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Fall Time (Typ)
70 ns
Height
2.2606mm
Manufacturer's Part No.
IRLR3705ZTRPBF
Power Dissipation
130W
Continuous Drain Current (ID)
89A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8m Ω @ 42A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 5V
Power Dissipation-Max
130W Tc
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Number of Elements
1
Dual Supply Voltage
55V
Turn On Delay Time
17 ns
Turn-Off Delay Time
33 ns
Rise Time
150ns

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют IRLR3705ZTRPBF, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое IRLR3705ZTRPBF?

IRLR3705ZTRPBF — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Infineon Technologies. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для IRLR3705ZTRPBF?

Для IRLR3705ZTRPBF указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли IRLR3705ZTRPBF в наличии?

Сейчас на странице указано 126009 шт. на складе и 28238 шт. доступно для IRLR3705ZTRPBF. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для IRLR3705ZTRPBF?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для IRLR3705ZTRPBF от Infineon Technologies. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для IRLR3705ZTRPBF?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для IRLR3705ZTRPBF от Infineon Technologies, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом IRLR3705ZTRPBF?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для IRLR3705ZTRPBF.

Еще материалы по закупкам

Статьи

Изучите материалы о IRLR3705ZTRPBF, категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные и связанных решениях по закупке, чтобы команде было проще перейти от оценки к RFQ.

11 июл. 2026 г.

Широкозонные силовые полупроводники в Q3 2026: где растет SiC, где выигрывает GaN и почему кремний все еще важен

Срез по SiC, GaN и кремнию на Q3 2026: где широкозонные приборы уже выигрывают, где кремний сохраняет силу и на что инженерам и закупщикам стоит смотреть дальше.

широкозонные полупроводникиSiCGaN

8 июл. 2026 г.

Сроки поставки и ценовое давление Texas Instruments в 2026 году: что сейчас делать закупщикам аналоговых и силовых ИС

Ориентированная на закупщиков структура оценки рисков по аналоговым и силовым ИС Texas Instruments в 2026 году: что подтверждено, где наиболее вероятно ценовое давление и удлинение lead time, и какие действия sourcing-командам стоит выполнить в первую очередь.

Texas Instrumentsаналоговые ИСсиловые ИС