Что такое FQPF7N65C?
FQPF7N65C — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FQPF7N65C, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
QFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FQPF7N65C от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.29.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Turn-Off Delay Time
90 ns
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
20 ns
Rise Time
50ns
Part Status
Active
Mounting Type
Through Hole
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Length
10.16mm
Lead Free
Lead Free
Packaging
Tube
Current Rating
7A
Published
2004
Height
9.19mm
Reach Compliance Code
not_compliant
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Manufacturer
ON Semiconductor
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Series
QFET®
Vgs (Max)
±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Contact Plating
Tin
Pbfree Code
yes
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Number of Terminations
3
Width
4.7mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Case Connection
ISOLATED
Additional Feature
FAST SWITCHING
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Power Dissipation
52W
Threshold Voltage
4V
Fall Time (Typ)
55 ns
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
28A
Continuous Drain Current (ID)
7A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A Tc
Drain Current-Max (Abs) (ID)
7A
Weight
2.27g
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Resistance
1.4Ohm
Power Dissipation-Max
52W Tc
Manufacturer's Part No.
FQPF7N65C
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Voltage - Rated DC
650V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1245pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ω @ 3.5A, 10V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FQPF7N65C, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FQPF7N65C?
Для FQPF7N65C указан корпус TO-. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FQPF7N65C в наличии?
Сейчас на странице указано 52493 шт. на складе и 74664 шт. доступно для FQPF7N65C. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FQPF7N65C?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FQPF7N65C от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FQPF7N65C?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FQPF7N65C от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FQPF7N65C?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FQPF7N65C.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
CSD18540Q5BT
201 покупали
RoHS
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Ориентировочная цена
$0.68Добавить в список RFQ
IRFR3607PBF
147 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
Ориентировочная цена
$0.50Добавить в список RFQ
STB14NK60ZT4
132 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.10Добавить в список RFQ
IRF6215STRLPBF
215 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.67Добавить в список RFQ
IRFR15N20DTRPBF
145 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.