Поставка оригинальных NUP4201DR2G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 25V 8SOIC

Поставка оригинальных NUP4201DR2G, TVS - Диоды, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NUP4201DR2G

Внутренний код

TCE000037761

Упаковка

8SOIC

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Категория

Защита цепи

Подкатегория

TVS - Диоды

Описание

TVS DIODE 5V 25V 8SOIC

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NUP4201DR2G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

TVS DIODE 5V 25V 8SOIC

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

Part Status

Active

Product Attribute

Published

2008

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Part Status
Active
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Package / Case
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Factory Lead Time
37 Weeks
Manufacturer
ON Semiconductor
Categories
Circuit Protection
Sub-Categories
TVS - Diodes
Subcategory
Transient Suppressors
Technology
AVALANCHE
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Direction
Unidirectional
Type
Steering (Rail to Rail)
Additional Feature
LOW CAPACITANCE
Base Part Number
NUP4201
Operating Supply Voltage
5V
Surface Mount
YES
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Width
4mm
Height
1.5mm
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Pins
8
Number of Terminations
8
Pin Count
8
Polarity
UNIDIRECTIONAL
Applications
General Purpose
Depth
4mm
Power Dissipation
500W
Manufacturer's Part No.
NUP4201DR2G
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Channels
4
Number of Elements
1
Diode Element Material
SILICON
Test Current
1mA
Peak Pulse Power
500W
Breakdown Voltage
6V
Configuration
SINGLE
Reverse Standoff Voltage
5V
Power Line Protection
Yes
Reverse Breakdown Voltage
6V
Peak Pulse Current
25A
Max Breakdown Voltage
6V
Max Surge Current
10A
Leakage Current
10μA
Max Reverse Leakage Current
10μA
Capacitance
10pF
Current - Peak Pulse (10/1000µs)
25A 8/20μs
Clamping Voltage
25V
Capacitance @ Frequency
5pF @ 1MHz
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.10.0080
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NUP4201DR2G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NUP4201DR2G?

NUP4201DR2G — это компонент категории TVS - Диоды от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NUP4201DR2G?

Для NUP4201DR2G указан корпус 8SOIC. Текущее описание товара: TVS DIODE 5V 25V 8SOIC. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NUP4201DR2G в наличии?

Сейчас на странице указано 45284 шт. на складе и 43151 шт. доступно для NUP4201DR2G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NUP4201DR2G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NUP4201DR2G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NUP4201DR2G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NUP4201DR2G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NUP4201DR2G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NUP4201DR2G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.