Что такое SI2333DS-T1-E3?
SI2333DS-T1-E3 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Vishay. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Поставка оригинальных SI2333DS-T1-E3, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Vishay
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
TrenchFET®
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для SI2333DS-T1-E3 от Vishay в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Channels
1
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Rise Time
45ns
Product Parameter
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Product Parameter
Turn On Delay Time
25 ns
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
45ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
Turn On Delay Time
25 ns
Turn-Off Delay Time
72 ns
Part Status
Active
Published
2008
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
14 Weeks
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Element Configuration
Single
Manufacturer
Vishay
Power Dissipation
750mW
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
FET Type
P-Channel
Subcategory
Other Transistors
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Series
TrenchFET®
Height
1.12mm
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Pins
3
Pin Count
3
Vgs (Max)
±8V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
1.8V 4.5V
Gate to Source Voltage (Vgs)
8V
Number of Terminations
3
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Nominal Vgs
-1 V
Threshold Voltage
-1V
Drain to Source Breakdown Voltage
-12V
Weight
1.437803g
Fall Time (Typ)
45 ns
Power Dissipation-Max
750mW Ta
Resistance
32mOhm
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32m Ω @ 5.3A, 4.5V
Continuous Drain Current (ID)
-4.1A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.1A Ta
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 6V
Manufacturer's Part No.
SI2333DS-T1-E3
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH SVHC
Unknown
RoHS Status
ROHS3 Compliant
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют SI2333DS-T1-E3, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для SI2333DS-T1-E3?
Для SI2333DS-T1-E3 указан корпус SOT23. Текущее описание товара: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли SI2333DS-T1-E3 в наличии?
Сейчас на странице указано 31936 шт. на складе и 54635 шт. доступно для SI2333DS-T1-E3. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для SI2333DS-T1-E3?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для SI2333DS-T1-E3 от Vishay. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для SI2333DS-T1-E3?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для SI2333DS-T1-E3 от Vishay, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом SI2333DS-T1-E3?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для SI2333DS-T1-E3.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRFS52N15DPBF
161 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Ориентировочная цена
$1.06Добавить в список RFQ
IRLR8256PBF
137 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Ориентировочная цена
$0.58Добавить в список RFQ
IRF3710PBF
134 покупали
TO-
RoHS
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Ориентировочная цена
$0.24Добавить в список RFQ
FDC642P
226 покупали
SSOT-6
RoHS
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
Ориентировочная цена
$0.10Добавить в список RFQ
IRLZ24NSTRLPBF
151 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.70Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.