Что такое FDMS8025S?
FDMS8025S — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Поставка оригинальных FDMS8025S, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
PowerTrench®, SyncFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V POWER56
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для FDMS8025S от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N-CH 30V POWER56
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Product Parameter
Terminal Finish
Tin (Sn)
Product Parameter
Turn On Delay Time
11 ns
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
29 ns
Product Parameter
Rise Time
4.5ns
Product Attribute
Part Status
Active
Terminal Finish
Tin (Sn)
Turn On Delay Time
11 ns
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
29 ns
Rise Time
4.5ns
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Factory Lead Time
18 Weeks
Published
2010
Terminal Position
DUAL
Element Configuration
Single
Height
1.05mm
Manufacturer
ON Semiconductor
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Vgs (Max)
±20V
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Package / Case
8-PowerTDFN
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Terminal Form
FLAT
JEDEC-95 Code
MO-240AA
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Width
6mm
Weight
68.1mg
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Threshold Voltage
1.7V
Power Dissipation
50W
Continuous Drain Current (ID)
49A
Power Dissipation-Max
2.5W Ta 50W Tc
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Fall Time (Typ)
3.7 ns
Drain Current-Max (Abs) (ID)
24A
Resistance
2.8mOhm
Series
PowerTrench®, SyncFET™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Manufacturer's Part No.
FDMS8025S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8m Ω @ 24A, 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
100A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A Ta 49A Tc
Avalanche Energy Rating (Eas)
66 mJ
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
JESD-30 Code
R-PDSO-F5
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют FDMS8025S, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для FDMS8025S?
Для FDMS8025S указан корпус 2010. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V POWER56. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли FDMS8025S в наличии?
Сейчас на странице указано 91591 шт. на складе и 55471 шт. доступно для FDMS8025S. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для FDMS8025S?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для FDMS8025S от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для FDMS8025S?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для FDMS8025S от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом FDMS8025S?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для FDMS8025S.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
STB70NF03LT4
204 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Ориентировочная цена
$0.44Добавить в список RFQ
STB75NF75LT4
203 покупали
TO-263-3
RoHS
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Ориентировочная цена
$2.39Добавить в список RFQ
FDD306P
138 покупали
TO-252-3
RoHS
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Ориентировочная цена
$1.00Добавить в список RFQ
IPB036N12N3GATMA1
203 покупали
TO263
RoHS
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Ориентировочная цена
$84.40Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.