Что такое NDC7001C?
NDC7001C — это компонент категории Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
ON SemiconductorДискретные полупроводниковые изделияТранзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Поставка оригинальных NDC7001C, Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы, от ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
-
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияПодкатегория
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - МассивыОписание
MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
Основные характеристики
-
Технический документ
Откройте официальный datasheet
Изучите актуальный datasheet для NDC7001C от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
Обзор
MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
Полная техническая структура
Подробные характеристики
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Популярные характеристики вынесены наверх
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Export Classifications & Environmental
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Export Classifications & Environmental
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Export Classifications & Environmental
REACH SVHC
No SVHC
Export Classifications & Environmental
HTSUS
8541.21.0095
Export Classifications & Environmental
ECCN Code
EAR99
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.21.0095
ECCN Code
EAR99
Part Status
Active
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type
Surface Mount
Factory Lead Time
8 Weeks
Published
2002
Packaging
Tape & Reel (TR)
Terminal Form
GULL WING
Max Junction Temperature (Tj)
150°C
Manufacturer
ON Semiconductor
Max Power Dissipation
700mW
Width
1.7mm
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Subcategory
Other Transistors
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Weight
36mg
Contact Plating
Tin
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
6
Number of Pins
6
Drain to Source Breakdown Voltage
60V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Length
3mm
Element Configuration
Dual
Height
900μm
Threshold Voltage
2.1V
Nominal Vgs
2.1 V
Power Dissipation
960mW
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Fall Time (Typ)
10 ns
Current Rating
350mA
Resistance
2Ohm
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
FET Type
N and P-Channel
Continuous Drain Current (ID)
510mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ω @ 510mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Manufacturer's Part No.
NDC7001C
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
510mA 340mA
Drain Current-Max (Abs) (ID)
0.51A
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Turn-Off Delay Time
8 ns
Dual Supply Voltage
60V
Turn On Delay Time
2.8 ns
Rise Time
10ns
FET Feature
Logic Level Gate
Min Breakdown Voltage
60V
Частые вопросы
FAQ по товару
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NDC7001C, наличие, документацию и процесс закупки.
Какой корпус и описание указаны для NDC7001C?
Для NDC7001C указан корпус SSOT6. Текущее описание товара: MOSFET N/P-CH 60V SSOT6. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Есть ли NDC7001C в наличии?
Сейчас на странице указано 53813 шт. на складе и 48132 шт. доступно для NDC7001C. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Можно ли запросить цену или образец для NDC7001C?
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NDC7001C от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Доступен ли datasheet для NDC7001C?
Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NDC7001C от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.
Что нужно проверить перед заказом NDC7001C?
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NDC7001C.
Транзисторы - Полевые, МОП-транзисторы - Массивы
Рекомендуемые товары
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
IRF7313TRPBF
179 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.22Добавить в список RFQ
NDC7003P
155 покупали
SSOT6
RoHS
MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
Ориентировочная цена
$19.00Добавить в список RFQ
FDD8424H
136 покупали
TO-252-5
RoHS
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
Ориентировочная цена
$0.53Добавить в список RFQ
PHN210T,118
158 покупали
8SOIC
RoHS
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Ориентировочная цена
$0.26Добавить в список RFQ
IRF7328TRPBF
203 покупали
8-SOIC
RoHS
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
Ориентировочная цена
$0.66Добавить в список RFQ
Еще материалы по закупкам
Статьи
25 июн. 2026 г.
Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения
MOSFETpower designselection guideTO-220
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика
mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений
SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.