Поставка оригинальных NIF9N05CLT1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Поставка оригинальных NIF9N05CLT1G, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от ON Semiconductor | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

NIF9N05CLT1G

Внутренний код

TCE000041854

Упаковка

SOT223

Производитель

ON Semiconductor

Ключевые характеристики

Серия

-

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для NIF9N05CLT1G от ON Semiconductor в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Published

2006

Product Attribute

Packaging

Tape & Reel (TR)

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Published
2006
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Termination
SMD/SMT
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Manufacturer
ON Semiconductor
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Voltage - Rated DC
52V
Nominal Vgs
1.75 V
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Radiation Hardening
No
Reflow Temperature-Max (s)
40
Mount
Surface Mount
Pbfree Code
yes
Number of Terminations
4
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Additional Feature
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Vgs (Max)
±15V
Number of Pins
4
Pin Count
4
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125m Ω @ 2.6A, 10V
Current Rating
2.6A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A Ta
Continuous Drain Current (ID)
2.6A
Threshold Voltage
1.75V
Resistance
107mOhm
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100μA
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
3V 10V
Drain to Source Breakdown Voltage
52V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Fall Time (Typ)
290 ns
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 35V
Power Dissipation-Max
1.69W Ta
Manufacturer's Part No.
NIF9N05CLT1G
Power Dissipation
1.69W
Lifecycle Status
CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 4 days ago)
JESD-609 Code
e3
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH SVHC
No SVHC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Number of Elements
1
Rise Time
290ns
Dual Supply Voltage
52V
Clamping Voltage
52V
Configuration
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Drain to Source Voltage (Vdss)
59V
Turn-Off Delay Time
1.54 μs

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют NIF9N05CLT1G, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое NIF9N05CLT1G?

NIF9N05CLT1G — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от ON Semiconductor. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для NIF9N05CLT1G?

Для NIF9N05CLT1G указан корпус SOT223. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли NIF9N05CLT1G в наличии?

Сейчас на странице указано 95543 шт. на складе и 56592 шт. доступно для NIF9N05CLT1G. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для NIF9N05CLT1G?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для NIF9N05CLT1G от ON Semiconductor. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для NIF9N05CLT1G?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для NIF9N05CLT1G от ON Semiconductor, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом NIF9N05CLT1G?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для NIF9N05CLT1G.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.