Поставка оригинальных STD3NK60ZT4, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Поставка оригинальных STD3NK60ZT4, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от STMicroelectronics | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

STD3NK60ZT4

Внутренний код

TCE000045243

Упаковка

TO-252-3

Производитель

STMicroelectronics

Ключевые характеристики

Серия

SuperMESH™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Основные характеристики

-

Открыть datasheet

Технический документ

Откройте официальный datasheet

Изучите актуальный datasheet для STD3NK60ZT4 от STMicroelectronics в отдельной вкладке, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, электрические характеристики и детали применения, не покидая страницу товара.

Открыть datasheet

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Product Attribute

REACH Status

REACH Unaffected

Product Attribute

ECCN

EAR99

Product Attribute

Lead Free

Lead Free

Product Attribute

Mounting Type

Surface Mount

Product Attribute

Packaging

Tape & Reel (TR)

Product Attribute

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Lead Free
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Terminal Form
GULL WING
Element Configuration
Single
Current Rating
2.4A
Part Status
Not For New Designs
Manufacturer
STMicroelectronics
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
JEDEC-95 Code
TO-252AA
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Power Dissipation
45W
Power Dissipation-Max
45W Tc
Vgs (Max)
±30V
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Reflow Temperature-Max (s)
30
Radiation Hardening
No
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminations
2
Pin Count
3
Voltage - Rated DC
600V
Height
2.4mm
Width
6.2mm
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
10V
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Length
6.6mm
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50μA
Series
SuperMESH™
Threshold Voltage
3.75V
Fall Time (Typ)
14 ns
Nominal Vgs
3.75 V
Continuous Drain Current (ID)
2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ω @ 1.2A, 10V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
9.6A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
311pF @ 25V
Base Part Number
STD3N
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A Tc
Resistance
3.6Ohm
Manufacturer's Part No.
STD3NK60ZT4
Terminal Finish
Matte Tin (Sn) - annealed
Number of Elements
1
Turn On Delay Time
9 ns
Rise Time
14ns
Turn-Off Delay Time
19 ns
JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют STD3NK60ZT4, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое STD3NK60ZT4?

STD3NK60ZT4 — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от STMicroelectronics. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для STD3NK60ZT4?

Для STD3NK60ZT4 указан корпус TO-252-3. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли STD3NK60ZT4 в наличии?

Сейчас на странице указано 18651 шт. на складе и 14285 шт. доступно для STD3NK60ZT4. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для STD3NK60ZT4?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для STD3NK60ZT4 от STMicroelectronics. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для STD3NK60ZT4?

Да. На этой странице есть ссылка на datasheet для STD3NK60ZT4 от STMicroelectronics, чтобы инженеры и закупщики могли проверить корпус, характеристики и детали применения перед покупкой.

Что нужно проверить перед заказом STD3NK60ZT4?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для STD3NK60ZT4.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.