Поставка оригинальных CSD16407Q5C, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

RoHS
Поставка оригинальных CSD16407Q5C, Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные, от Texas Instruments | TrustCompo

Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.

Номер детали

CSD16407Q5C

Внутренний код

TCE000041916

Упаковка

-

Производитель

Texas Instruments

Ключевые характеристики

Серия

NexFET™

Минимальное количество

1

Описание

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

Основные характеристики

-

Зачем отправлять RFQ

На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.

Подтвердить наличие и ожидания по срокам
Уточнить CoC и поддержку прослеживаемости
Согласовать проверку и детали отгрузки

Сигналы доверия

Международно признанные сертификаты

4 сертификата

Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.

ISO 9001

Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.

AS9120B

Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.

ISO 14001

Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.

ESD Control

Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.

Проверка подлинности

CoC по запросу

Проверка перед отгрузкой

Оперативная RFQ-поддержка

Почему закупщики доверяют этому процессу поставки

Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.

Структурированный контент продукта

Изучайте продукт так, как его оценивают закупщики

Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.

Обзор продукта

Обзор

MOSFET N-CH 25V 100A 8SON

Полная техническая структура

Подробные характеристики

Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.

Быстрый просмотр

Популярные характеристики вынесены наверх

Export Classifications & Environmental

JESD-609 Code

e3

Export Classifications & Environmental

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Export Classifications & Environmental

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Export Classifications & Environmental

REACH SVHC

No SVHC

Export Classifications & Environmental

HTSUS

8541.29.0095

Export Classifications & Environmental

ECCN Code

EAR99

JESD-609 Code
e3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH SVHC
No SVHC
HTSUS
8541.29.0095
ECCN Code
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Lead Free
Contains Lead
Mounting Type
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Terminal Position
DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel)
260
Qualification Status
Not Qualified
Manufacturer
Texas
Element Configuration
Single
Height
1.05mm
Terminal Form
NO LEAD
Case Connection
DRAIN
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Subcategory
FET General Purpose Power
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Sub-Categories
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Categories
Discrete Semiconductor Products
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
4.5V 10V
Additional Feature
AVALANCHE RATED
Drain-source On Resistance-Max
0.0033Ohm
Series
NexFET™
Package / Case
8-PowerTDFN
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Length
5mm
Number of Terminations
5
Number of Pins
8
Pin Count
8
Width
6mm
Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Thickness
1mm
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
200A
Fall Time (Typ)
9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
16V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250μA
Power Dissipation
3.1W
Power Dissipation-Max
3.1W Ta
Vgs (Max)
+16V, -12V
Continuous Drain Current (ID)
100A
Nominal Vgs
1.6 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A Ta 100A Tc
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2660pF @ 12.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4m Ω @ 25A, 10V
Base Part Number
CSD16407
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 4 weeks ago)
DS Breakdown Voltage-Min
25V
Manufacturer's Part No.
CSD16407Q5C
Number of Elements
1
Turn-Off Delay Time
16 ns
Turn On Delay Time
11.9 ns
Rise Time
18.4ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V

Частые вопросы

FAQ по товару

Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD16407Q5C, наличие, документацию и процесс закупки.

Что такое CSD16407Q5C?

CSD16407Q5C — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.

Какой корпус и описание указаны для CSD16407Q5C?

Для CSD16407Q5C указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 25V 100A 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.

Есть ли CSD16407Q5C в наличии?

Сейчас на странице указано 11439 шт. на складе и 11439 шт. доступно для CSD16407Q5C. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.

Можно ли запросить цену или образец для CSD16407Q5C?

Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD16407Q5C от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.

Доступен ли datasheet для CSD16407Q5C?

Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD16407Q5C от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.

Что нужно проверить перед заказом CSD16407Q5C?

Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD16407Q5C.

Еще материалы по закупкам

Статьи

25 июн. 2026 г.

Руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: практический фреймворк по классу напряжения, потерям, корпусу и рискам снабжения

MOSFETpower designselection guideTO-220

Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.

19 июн. 2026 г.

Дефицит MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году — структура действий для закупщика

mosfetдефицитраспределениесиловые-полупроводники

Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.

15 июн. 2026 г.

Снятие с производства Samsung MLC NAND в 2026 году: стратегии закупки для legacy- и промышленных применений

SamsungMLC NANDeMMCpromyshlennaya pamyat

Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.