MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
Изображения приведены только для справки. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последних изображений.
Ключевые характеристики
Серия
NexFET™
Минимальное количество
1
Категория
Дискретные полупроводниковые изделияОписание
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
Основные характеристики
-
Зачем отправлять RFQ
На этапе RFQ удобно уточнить коммерческие и документальные детали, которые обычно нужны закупщикам до размещения заказа.
Сигналы доверия
Международно признанные сертификаты
Сертификаты работают лучше всего, когда они подкреплены понятными обещаниями по прослеживаемости, обращению и инспекции.
ISO 9001
Процессы менеджмента качества для более стабильной закупки и обращения с продукцией.
AS9120B
Контроль дистрибуции авиационного уровня для прослеживаемости и надежности.
ISO 14001
Экологическая дисциплина в операционных и складских процессах.
ESD Control
Стандарты защиты от электростатического разряда для чувствительных компонентов.
Проверка подлинности
CoC по запросу
Проверка перед отгрузкой
Оперативная RFQ-поддержка
Почему закупщики доверяют этому процессу поставки
Наш процесс качества направлен на снижение риска контрафакта и поддержку уверенных закупок. Компоненты проходят документированные этапы обращения и проверки, чтобы закупочные команды могли принимать решения с большей уверенностью.
Структурированный контент продукта
Переключайтесь между обзором, характеристиками и связанными материалами без длинной непрерывной страницы.
Обзор продукта
The CSD17322Q5A is a high-performance N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Texas Instruments. This device is designed for applications requiring efficient power management and switching capabilities.
Полная техническая структура
Просматривайте сгруппированные атрибуты и параметры без перегрузки одной длинной таблицей.
Быстрый просмотр
Product Parameter
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Product Parameter
Number of Elements
1
Product Parameter
Turn On Delay Time
6.7 ns
Product Parameter
Rise Time
12ns
Product Parameter
Turn-Off Delay Time
10.5 ns
Export Classifications & Environmental
JESD-609 Code
e3
Частые вопросы
Короткие ответы для покупателей, которые проверяют CSD17322Q5A, наличие, документацию и процесс закупки.
CSD17322Q5A — это компонент категории Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные от Texas Instruments. Эта страница товара собирает основные данные для закупки перед проверкой цены, наличия, документации или образцов.
Для CSD17322Q5A указан корпус -. Текущее описание товара: MOSFET N-CH 30V 87A 8SON. Перед утверждением закупки покупателям следует сверить корпус, footprint и электрические параметры с datasheet или условиями предложения.
Сейчас на странице указано 12386 шт. на складе и 10015 шт. доступно для CSD17322Q5A. Так как наличие электронных компонентов быстро меняется, отправьте RFQ, чтобы подтвердить актуальный склад, срок поставки и финальную цену.
Да. Используйте действие быстрого запроса цены или запроса образца на этой странице, чтобы отправить количество и требования по закупке для CSD17322Q5A от Texas Instruments. Команда TrustCompo проверит цену, наличие и поддержку документации.
Отдельная ссылка на datasheet сейчас не указана для CSD17322Q5A от Texas Instruments. Свяжитесь с нами с номером детали и нужными параметрами, чтобы команда помогла подтвердить документацию на этапе предложения.
Перед подтверждением заказа покупателям следует проверить производителя, корпус, количество, целевую цену, требования RoHS или другие требования соответствия, а также необходимость Certificate of Conformance или прослеживаемости для CSD17322Q5A.
Транзисторы - Полевые транзисторы, MOSFET - Одиночные
Посмотрите больше компонентов из той же подкатегории, чтобы сравнить наличие, совместимость и варианты закупки.
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
Еще материалы по закупкам
25 июн. 2026 г.
Практическое руководство по выбору MOSFET для силовой электроники: класс напряжения, Rds(on), gate charge, тепловые ограничения корпуса и безопасная логика подбора альтернатив.
19 июн. 2026 г.
Дефицит силовых MOSFET Vishay, Onsemi и Infineon в 2026 году: матрица рисков по семействам, альтернативы с проверкой по даташитам и три закупочных действия, которые нужно выполнить до июльского повышения цен Infineon.
15 июн. 2026 г.
Практическое руководство для закупщиков на 2026 год по рискам EOL Samsung MLC NAND, дефициту малой емкости eMMC, альтернативам raw NAND и миграции на pSLC для промышленных OEM.